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龙图腾网获悉北京大学;北京知识产权运营管理有限公司申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653769B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411735482.5，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备是由吴恒;孙嘉诚;卢浩然;王润声;卜伟海;武咏琴;黄如设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底沿第一方向的两个区域上形成一对第一有源结构和一对第二有源结构；在衬底的两个区域上分别形成隔离结构，以暴露一对第一有源结构；基于一对第一有源结构，形成一对正面晶体管；倒片并暴露一对第二有源结构；基于一对第二有源结构，形成一对背面晶体管；在暴露一对第一有源结构和或暴露一对第二有源结构之后，刻蚀位于逻辑区域内的隔离结构，以使得位于逻辑区域内的有源结构的高度高于位于存储区域内的有源结构的高度。本申请可以实现逻辑区域和存储区域有源结构的不同高度，有利于芯片不同区域对晶体管性质的需求。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底沿第一方向的两个区域上形成一对第一半导体结构，所述一对第一半导体结构至少包括一对第一有源结构和一对第二有源结构，所述一对第一有源结构相对于所述一对第二有源结构远离所述衬底，所述两个区域包括逻辑区域和存储区域； 在所述衬底的两个区域上分别形成隔离结构，以暴露所述一对第一有源结构； 基于所述一对第一有源结构，形成一对正面晶体管，所述一对正面晶体管包括位于逻辑区域内的第一正面晶体管和位于存储区域内的第二正面晶体管； 对所述一对正面晶体管进行倒片，并暴露所述一对第二有源结构； 基于所述一对第二有源结构，形成一对背面晶体管，所述一对背面晶体管包括位于逻辑区域内的第一背面晶体管和位于存储区域内的第二背面晶体管； 在暴露所述一对第一有源结构和或所述一对第二有源结构之后，刻蚀位于所述逻辑区域内的隔离结构，以使得位于所述逻辑区域内的有源结构的高度高于位于所述存储区域内的有源结构的高度。

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