复旦大学田朋飞获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利单片集成微米级发光二极管芯片及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311167829.6，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权单片集成微米级发光二极管芯片及其应用是由田朋飞;廖悦;林润泽设计研发完成，并于2023-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本单片集成微米级发光二极管芯片及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供单片集成微米级LED芯片，包括衬底和多个微米级LED器件，微米级LED器件包括n‑氮化镓层、铟镓氮氮化镓多量子阱结构、p‑铝镓氮层、p‑氮化镓层、电流扩散层和钝化层，量子势垒厚度为0.5‑5nm，单片集成微米级LED芯片能通过高压偏置电路用于光探测，高压偏置电路提供反向偏压电压为0‑200V，带宽为10MHz‑10GHz；单片集成微米级LED芯片能用于光发射，带宽为10MHz‑10GHz。本发明单片集成微米级LED芯片在极高反向偏压下具有较好光电响应特性和带宽特性。本发明还提供单片集成微米级LED芯片作为窄带光电探测器的应用和在高速可见光通信中的应用，还提供可见光通信装置。
本发明授权单片集成微米级发光二极管芯片及其应用在权利要求书中公布了：1.一种单片集成微米级发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底以及在衬底上呈阵列分布的多个微米级发光二极管器件，每个所述微米级发光二极管器件包括依次层叠设置的n-GaN层、InGaNGaN多量子阱结构、p-AlGaN层、p-GaN层和电流扩散层，以及位于所述InGaNGaN多量子阱结构、所述p-AlGaN层、所述p-GaN层和所述电流扩散层侧面的钝化层，所述InGaNGaN多量子阱结构中量子势垒厚度为0.5-5nm，所述单片集成微米级发光二极管芯片能够通过高压偏置电路用于光探测，所述高压偏置电路能够提供反向偏压电压为0V-200V，且不同电压下探测带宽为10MHz-10GHz；所述单片集成微米级发光二极管芯片还能够用于光发射，用于光发射时带宽为10MHz-10GHz； 所述InGaNGaN多量子阱结构中量子阱对数为1-20。
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