买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种高阶可配置电流模低通滤波电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119628600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411698981.1，技术领域涉及：H03H11/04；该发明授权一种高阶可配置电流模低通滤波电路是由吴旭;曹睿;吴骁祺;李连鸣设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高阶可配置电流模低通滤波电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种高阶可配置电流模低通滤波电路，属于低通滤波器技术领域；一种高阶可配置电流模低通滤波电路包括依次级联的第一级低通滤波器、第二级低通滤波器和第三级低通滤波器，相邻两级低通滤波器之间通过电流镜将上一级低通滤波器的输出电流灌入下一级低通滤波器的输入端；且每级低通滤波器均采用二阶电流型gm‑C结构；第一级低通滤波器的一侧设置有超级源跟随器，超级源跟随器的输出端通过两个电阻连接到第一级低通滤波器的输入端，建立到地的低阻连接。利用了三级电流模式的gm‑C滤波器实现了6阶巴特沃斯滤波器，通过控制可调电容和gm的大小可以实现带宽的灵活调节，从而适用于多标准的无线通信系统。

本发明授权一种高阶可配置电流模低通滤波电路在权利要求书中公布了：1.一种高阶可配置电流模低通滤波电路，其特征在于，包括依次级联的第一级低通滤波器、第二级低通滤波器和第三级低通滤波器，相邻两级低通滤波器之间通过电流镜将上一级低通滤波器的输出电流灌入下一级低通滤波器的输入端；且每级低通滤波器均采用二阶电流型gm-C结构； 所述第一级低通滤波器的一侧设置有超级源跟随器，超级源跟随器的输出端通过两个电阻连接到第一级低通滤波器的输入端，建立到地的低阻连接； 所述第一级低通滤波器包括：晶体管M1A、晶体管M1B、晶体管M2A、晶体管M2B、晶体管M3A、晶体管M3B、晶体管M4A、晶体管M4B、可变电容C1A、可变电容C1B、电阻Rin1和电阻Rin2； 晶体管M2A的源极与地GND相连，漏极连接晶体管M1A的源极；晶体管M1A的漏极与晶体管M3A的漏极相连，晶体管M3A的源极连接电源VDD，漏极与栅极相连；晶体管M2B的源极与地GND相连，漏极连接晶体管M1B的源极；晶体管M1B的漏极与晶体管M3B的漏极相连，晶体管M3B的源极连接电源VDD，漏极与栅极相连；可变电容C1A的一端连接晶体管M1A的源极，另一端连接晶体管M1B的源极；可变电容C1B的一端连接晶体管M3A的漏极，另一端连接晶体管M3B的漏极；晶体管M1A的栅极与晶体管M1B的漏极相连，晶体管M1B的栅极与晶体管M1A的漏极相连；电阻Rin1的一端连接晶体管M1A的源极，另一端连接第一级低通滤波器的电流输入端的正极Iin1p，电阻Rin2的一端连接晶体管M1B的源极，另一端连接第一级低通滤波器的电流输入端的负极Iin1n；晶体管M4A的栅极与晶体管M3A的栅极相连，源极与电源VDD相连，漏极与第一级低通滤波器的输出端的负极Iout1n相连，晶体管M4B的栅极与晶体管M3B的栅极相连，源极与电源VDD相连，漏极与第一级低通滤波器的输出端的正极Iout1p相连；晶体管M3A、晶体管M4A、晶体管M3B、晶体管M4B构成了电流镜，其输出连接第二级低通滤波器的输入； 所述第二级低通滤波器包括：晶体管M5A、晶体管M5B、晶体管M6A、晶体管M6B、晶体管M7A、晶体管M7B、可变电容C2A和可变电容C2A； 晶体管M5A的源极连接第二级低通滤波器的输入端的负极Iin2n，漏极连接晶体管M6A的漏极，栅极连接晶体管M5B的源极，晶体管M6A的源极连接地GND，漏极与栅极相连；晶体管M5B的源极连接第二级低通滤波器的输入端的正极Iin2p，漏极连接晶体管M6B的漏极，栅极连接晶体管M5A的源极，晶体管M6B的源极连接地GND，漏极与栅极相连；可变电容C2A一端连接晶体管M5A的源极，另一端连接晶体管M5B的源极，可变电容C2B一端连接晶体管M5A的漏极，另一端连接晶体管M5B的漏极；晶体管M7A的栅极与晶体管M6A的栅极相连，源极与地GND相连，漏极与第二级低通滤波器的输出端的正极Iout2p相连；晶体管M7B的栅极与晶体管M6B的栅极相连，源极与地GND相连，漏极与第二级低通滤波器的输出端的负极Iout2n相连；晶体管M6A、晶体管M7A、晶体管M6B、晶体管M7B构成了电流镜，其输出连接第三级低通滤波器的输入； 所述第三级低通滤波器包括：晶体管M8A、晶体管M8B、晶体管M9A、晶体管M9B、晶体管M10A、晶体管M10B、晶体管M11A、晶体管M11B、可变电容C3A和可变电容C3B； 晶体管M8A的源极连接第三级低通滤波器输入端的正极Iin3p，漏极连接晶体管M9A的漏极，栅极连接晶体管M8B的漏极，晶体管M9A的源极连接电源VDD，漏极与栅极相连；晶体管M8B的源极连接第三级低通滤波器输入端的负极Iin3n，漏极连接晶体管M9B的漏极，栅极连接晶体管M8A的漏极，晶体管M9B的源极连接电源VDD，漏极与栅极相连；可变电容C3A的一端与晶体管M8A的源极相连，另一端与晶体管M8B的源极相连；可变电容C3B的一端与晶体管M9A的漏极相连，另一端与晶体管M9B的漏极相连；晶体管M10A的源极连接电源VDD，栅极与晶体管M9A的栅极相连，漏极连接晶体管M11A的漏极，晶体管M11A的源极连接地GND，漏极连接第三级低通滤波器输出端的负极Voutn；晶体管M10B的源极连接电源VDD，栅极与晶体管M9B的栅极相连，漏极连接晶体管M11B的漏极，晶体管M11B的源极连接地GND，漏极连接第三级低通滤波器输出端的正极Voutp。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东南大学，其通讯地址为：211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。