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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种局部隔离氧化层器件结构的制备方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626985B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772300.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种局部隔离氧化层器件结构的制备方法及装置是由欧阳文森;王胜林;余威明设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种局部隔离氧化层器件结构的制备方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种局部隔离氧化层器件结构的制备方法及装置，涉及半导体制造技术领域，包括：根据磷酸连续刻蚀工作量与预设工作量阈值比较，确定对氮氧化硅层进行刻蚀的目标刻蚀试剂，根据目标刻蚀试剂、氧化硅层厚度、氮化硅层厚度、氮氧化硅层厚度、垫氧化层目标损失厚度，分别计算得到磷酸刻蚀时间和氢氟酸刻蚀时间，并按照上述时间完成对器件膜层的刻蚀。本申请通过考虑隔离氧化层器件结构的制备过程中磷酸新旧酸对膜层刻蚀速率的复杂变化，结合垫氧化层膜层在刻蚀过程中目标损失厚度，通过本方案经济高效的确定不同酸对膜层的刻蚀时间，实现对垫氧化层厚度的精准把控。

本发明授权一种局部隔离氧化层器件结构的制备方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种局部隔离氧化层器件结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一经热氧化制程处理后的晶圆，所述晶圆中形成有氧化隔离结构以及从上至下依次堆叠的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、垫氧化层以及硅衬底； 量测所述晶圆，确定氧化硅层厚度、氮化硅层厚度和氮氧化硅层厚度； 分别确定氢氟酸试剂对氧化硅层的第一刻蚀速率、氢氟酸试剂对氮氧化硅层的第二刻蚀速率、磷酸试剂对氮氧化硅层的第三刻蚀速率、磷酸试剂对氮化硅层的第四刻蚀速率以及磷酸试剂对氧化硅层及垫氧化层的第五刻蚀速率，其中，第三刻蚀速率及第五刻蚀速率是随磷酸连续刻蚀工作量变动的，磷酸连续刻蚀工作量为从磷酸新酸开始，刻蚀晶圆的累积时间； 获取垫氧化层在连续刻蚀过程中的目标损失厚度； 将所述磷酸连续刻蚀工作量与预设工作量阈值进行比较，根据比较结果，确定目标刻蚀试剂，所述目标刻蚀试剂为被选用对所述氮氧化硅层进行清除的试剂，所述目标刻蚀试剂为氢氟酸试剂或磷酸试剂，所述预设工作量阈值为1500min； 根据所述目标刻蚀试剂、氧化硅层厚度、氮化硅层厚度、氮氧化硅层厚度、所述目标损失厚度、所述磷酸连续刻蚀工作量及刻蚀速率，分别计算得到磷酸刻蚀时间和氢氟酸刻蚀时间； 使用磷酸试剂和氢氟酸试剂，按照所述磷酸刻蚀时间和所述氢氟酸刻蚀时间完成对所述晶圆的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层的刻蚀； 其中，第三刻蚀速率通过以下函数表达式计算： f1x=10-7x2-0.0013x+2.983 x表示磷酸连续刻蚀工作量，f1x表示磷酸试剂在磷酸连续刻蚀工作量x下对氮氧化硅层的第三刻蚀速率； 第五刻蚀速率通过以下函数表达式计算： f2x=9×10-8x2-0.0007x+1.5945 f2x表示磷酸试剂在磷酸连续刻蚀工作量x下对氧化硅层及垫氧化层的第五刻蚀速率。

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