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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于带隙渐变半导体纳米线的可调谐激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411592079.1，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种基于带隙渐变半导体纳米线的可调谐激光器是由杨宗银;马志;周朱荣;张弓远;崔浩;王骁羽设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于带隙渐变半导体纳米线的可调谐激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于带隙渐变半导体纳米线的可调谐激光器，底层为布拉格反射镜，中间为支撑柱支撑起的空气层，顶层为镀银反射层，渐变纳米线放在底层布拉格反射镜上。底层的布拉格反射镜和顶层的镀银反射层，充当外部法布里‑波罗腔的两个发射镜，中间的空气层充当谐振腔体。本发明还提供了基于所述可调谐激光器的光谱调制系统，利用半导体纳米线的高光学增益，以及适当的外部法布里‑波罗腔设计，在外加激光泵浦半导体纳米线轴向不同位置时即可实现可调谐激光出射。

本发明授权一种基于带隙渐变半导体纳米线的可调谐激光器在权利要求书中公布了：1.一种可调谐激光器的光谱调制系统，其特征在于，包括纳秒脉冲激光器6、光学镜组、基于带隙渐变半导体纳米线的可调谐激光器、显微物镜14、光谱仪15、半透半反镜16以及电荷耦合器件17； 所述基于带隙渐变半导体纳米线的可调谐激光器包括镀银反射层、支撑柱以及布拉格反射镜5；所述布拉格反射镜5设置在底部，布拉格反射镜上设置有渐变纳米线4；所述渐变纳米线4用于作为增益材料，所述渐变纳米线为硫硒化镉CdSSe纳米线，通过固液气VLS方法控制温度、压强、时间等参数生长而成，直径为0.5-1μm，长度为100-200μm；纳米线一端是纯净的硫化镉CdS，另一端是纯净的硒化镉CdSe，中间是从CdS到CdSe的CdSSe过渡区域；多根所述支撑柱设置在布拉格反射镜5上；所述镀银反射层设置在多根支撑柱之上；镀银反射层和布拉格反射镜5之间的间隙为空气层； 所述纳秒脉冲激光器6发出的激光经过光学镜组后照射到渐变纳米线的不同位置，辐射出的光在设计法布里-波罗腔中谐振增强，最终实现可调谐激光的输出；所述光学镜组用于将纳秒脉冲激光器6发射出的激光的光斑进行缩小；谐振增强的可调谐激光经过半透半反镜16后，一部分可调谐激光被反射后进入光谱仪15，一部分可调谐激光透过半透半反镜16后进入电荷耦合器件17；所述显微物镜14用于收集从可调谐激光器出射的激光。

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