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龙图腾网获悉浙江大学绍兴研究院申请的专利一种铌酸锂电光调制器的射频封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411751679.8，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种铌酸锂电光调制器的射频封装结构是由王曰海;杨娟;戴庭舸设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌酸锂电光调制器的射频封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铌酸锂电光调制器的射频封装结构，包括陶瓷基板、底部金属层、共面波导传输线、左侧金属层和右侧金属层，所述底部金属层紧贴于所述陶瓷基板的底部并且所述共面波导传输线紧贴于所述陶瓷基板的顶部，所述左侧金属层紧贴于所述陶瓷基板的左侧部并且所述右侧金属层紧贴于所述陶瓷基板的右侧部；所述共面波导传输线包括平行设置的第一地电极、第二地电极和信号电极；所述信号电极的第一端为等腰梯形的过渡结构并且该过渡结构随着靠近调制器芯片尺寸逐渐减小。本发明公开的一种铌酸锂电光调制器的射频封装结构，能够在不提高芯片带宽前提下，提高铌酸锂调制器封装后的带宽，减小器件封装中的损耗。

本发明授权一种铌酸锂电光调制器的射频封装结构在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂电光调制器的射频封装结构，其特征在于，包括陶瓷基板、底部金属层、共面波导传输线、左侧金属层和右侧金属层，所述底部金属层紧贴于所述陶瓷基板的底部并且所述共面波导传输线紧贴于所述陶瓷基板的顶部，所述左侧金属层紧贴于所述陶瓷基板的左侧部并且所述右侧金属层紧贴于所述陶瓷基板的右侧部，其中： 所述共面波导传输线的第一端通过金丝键合连接调制器芯片并且所述共面波导传输线的第二端连接射频同轴信号连接器，所述共面波导传输线包括平行设置的第一地电极、第二地电极和信号电极，所述信号电极位于所述第一地电极和所述第二地电极之间； 所述信号电极的第一端为等腰梯形的过渡结构并且该过渡结构随着靠近调制器芯片尺寸逐渐减小，过渡结构靠近调制器芯片的一端的宽度与调制器芯片对应连接位置的宽度相同，所述信号电极的第二端的宽度与过渡结构远离调制器芯片的一端的宽度相等； 所述左侧金属层的两端分别与所述第一地电极和所述底部金属层连接，所述右侧金属层的两端分别与所述第二地电极和所述底部金属层连接； 所述信号电极与所述第一地电极之间的第一距离和所述信号电极与所述第二地电极之间的第二距离相等。

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