原子能和替代能源委员会斯蒂芬·阿尔塔津获国家专利权
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龙图腾网获悉原子能和替代能源委员会申请的专利用于制造光电子器件的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119521895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411099613.5,技术领域涉及:H10H29/01;该发明授权用于制造光电子器件的方法是由斯蒂芬·阿尔塔津;艾蒂安·凯内尔;奥瑞莲·苏姆;杰瑞米·比尔德设计研发完成,并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造光电子器件的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法,该光电子器件包括二极管阵列10以及与至少一个二极管相对地布置的光致发光垫,该方法包括以下步骤:通过局部极化或去极化,光学地在二极管阵列10上制作驻极体层E1,以形成表面势图案M1;制作光致发光垫P1,通过使驻极体层E1与包含光致发光颗粒p1的胶状溶液接触,然后将光致发光颗粒p1沉积在驻极体层E1的与预定表面势图案M1相对的上表面F1上,从而形成光致发光垫P1。
本发明授权用于制造光电子器件的方法在权利要求书中公布了:1.一种用于制造光电子器件的方法,所述光电子器件包括:二极管阵列,所述二极管阵列配置成发射或接收光辐射;和颜色转换结构,所述颜色转换结构至少部分地覆盖所述二极管阵列,并包含与至少一个二极管相对地布置的光致发光垫,所述用于制造光电子器件的方法包括: 提供所述二极管阵列; 制作驻极体层,所述驻极体层覆盖所述二极管阵列,且所述驻极体层的与所述二极管阵列相对的上表面具有第一预定表面势图案,在所述第一预定表面势图案中,表面势不为零;以及 制作所述光致发光垫,通过使所述驻极体层与包含第一光致发光颗粒的胶状溶液接触,然后将所述第一光致发光颗粒沉积在所述驻极体层的与所述第一预定表面势图案相对的上表面上,从而形成所述光致发光垫, 其中,制作所述驻极体层的步骤包括: B1制作驻极体层,所述驻极体层的上表面在其整个表面上具有不为零或为零的初始表面势; B2a在所述初始表面势不为零的情况下:利用能够至少部分地由所述驻极体层吸收的去极化光辐射来照射所述驻极体层的区域,被照射区域不同于旨在形成所述表面势图案的非照射区域,在所述被照射区域中对所述去极化光辐射的吸收使得消除局部表面势,于是所述非照射区域限定所述表面势图案;以及 B2b在所述初始表面势为零的情况下:利用能够至少部分地由所述驻极体层吸收的极化光辐射来照射所述驻极体层的区域,在所述被照射区域中对所述极化光辐射的吸收使得形成不为零的局部表面势,于是所述被照射区域限定所述表面势图案。
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