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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种硅基高通量单分子检测纳米孔芯片与制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119500295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411399971.8，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种硅基高通量单分子检测纳米孔芯片与制备方法是由张志强;李健;沙菁㛃;张文辉;翟天章设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基高通量单分子检测纳米孔芯片与制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于高通量测序传感器技术领域，涉及一种硅基高通量单分子检测纳米孔芯片及制备方法，硅基高通量单分子检测纳米孔芯片包括硅衬底、纳米通孔阵列以及样品池阵列；纳米通孔阵列以及样品池阵列分别设置在硅衬底上表面以及下表面；纳米通孔阵列中包括M×N个纳米通孔；样品池阵列包括多个非互通的样品池；样品池的数量与纳米通孔的数量相对应；贯穿硅衬底上设置有与纳米通孔数量相对应的贯穿孔；纳米通孔通过贯穿孔与样品池连通。本发明能实现纳米孔的低成本、便携使用、多应用场景、高灵敏度、高准确性，以此技术开发测序仪，推进第四代测序技术的发展。

本发明授权一种硅基高通量单分子检测纳米孔芯片与制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基高通量单分子检测纳米孔芯片，其特征在于：所述硅基高通量单分子检测纳米孔芯片包括硅衬底1、纳米通孔阵列6以及样品池阵列5；所述纳米通孔阵列6以及样品池阵列5分别设置在硅衬底1上表面以及下表面；所述纳米通孔阵列6中包括M×N个纳米通孔；所述样品池阵列5包括多个非互通的样品池；所述样品池的数量与纳米通孔的数量相对应；所述硅衬底1上设置有与纳米通孔数量相对应的贯穿孔；所述纳米通孔通过贯穿孔与样品池连通，所述纳米通孔成形单元包括自上而下依次设置在硅衬底1上的Si3N4钝化层7、上层Pt电极层4、Si3N4绝缘层3以及下层Pt电极层2；所述纳米通孔依次贯穿Si3N4钝化层7、上层Pt电极层4、Si3N4绝缘层3以及下层Pt电极层2，所述下层Pt电极层2包括下层Pt电极、下层Pt导线以及下层Pt电极接口；所述下层Pt电极接口通过下层Pt导线与下层Pt电极相连；所述下层Pt电极整体呈圆盘状；所述纳米通孔沿下层Pt电极的圆心设置，所述纳米通孔成形单元组中每个纳米通孔成形单元的下层Pt电极接口均置于下层Pt电极同侧，或相对设置在下层Pt电极两侧。

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