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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于多功能N-GQD复合薄膜的GaAs异质结太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411656290.5，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种基于多功能N-GQD复合薄膜的GaAs异质结太阳能电池及其制备方法是由李国强;王宣;刘勇;邓曦;郭超英设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多功能N-GQD复合薄膜的GaAs异质结太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种基于多功能N‑GQD复合薄膜的GaAs异质结太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括GaAs衬底，所述GaAs衬底上依次设有N‑GQDs界面钝化层、掺杂N‑GQDs空穴传输层；通过低成本原料水热合成N‑GQD，然后通过简单旋涂制备成异质结电池的界面钝化层，采用抽滤的方法制备空穴传输层薄膜薄膜，转移至GaAs衬底上，最后在其表面旋涂一层N‑GQDs制备成太阳能电池，能够有效的拓宽GaAs太阳能电池光谱响应范围，降低界面载流子复合，提升效率。

本发明授权一种基于多功能N-GQD复合薄膜的GaAs异质结太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多功能N-GQD复合薄膜的GaAs异质结太阳能电池，其特征在于， 包括GaAs衬底，所述GaAs衬底上依次设有N-GQDs界面钝化层、掺杂N-GQDs空穴传输层，空穴传输层上依次设有抗反射层和正面电极；GaAs衬底背面的背面电极； 空穴传输层的材料是碳纳米管、Mxene、PEdot或石墨烯的一种或两种以上的组合物；所述抗反射层是WO3、MgF2、MoO3薄膜的一种； 制备方法包括： 步骤S1，在GaAs背面蒸镀上背面电极，退火后形成欧姆接触，在GaAs衬底正面旋涂一层N-GQDs溶液并自然干燥； 步骤S2，采用抽滤的方式制备空穴传输层薄膜，将空穴传输层薄膜转移至GaAs表面，在空穴传输层的表面旋涂N-GQDs溶液进行自然晾干； 步骤S3，在步骤S2中得到的异质结正面蒸镀上抗反射层和正面电极，制备成基于多功能N-GQD复合薄膜的GaAs异质结太阳能电池； 所述N-GQDs溶液通过包括以下步骤的方法制备： 将尿素和柠檬酸的水溶液进行水热反应处理，反应液经固液分离后，液相经冷冻干燥得到所述N-GQDs的粉末；溶解在水中得到所述N-GQDs溶液。

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