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龙图腾网获悉本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请的专利半导体量子芯片的电极结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310963078.2，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体量子芯片的电极结构及测试方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;孔伟成设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体量子芯片的电极结构及测试方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体量子芯片的电极结构及测试方法，所述半导体量子芯片的电极结构包括位于衬底相对两侧的源极和漏极、以及若干个栅极，栅极包括：第一栅极，用于施加第一直流电压信号以使所述第一栅极下方的沟道形成二维电子气；第二栅极，用于施加第二直流电压信号调节所述第二栅极下方的沟道内二维电子气的电荷密度以形成感应量子点；位于所述第一栅极和所述第二栅极之间的第三栅极，用于施加射频信号读取所述感应量子点的状态；其中，所述第一栅极和所述第三栅极在所述衬底的垂直方向具有重叠端部，所述重叠端部之间形成有绝缘介质层。本申请避免了测量信号沿着半导体量子芯片的电极结构进行泄露，提高了半导体量子芯片的测量兼容性。

本发明授权半导体量子芯片的电极结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体量子芯片的电极结构，其特征在于，包括位于衬底相对两侧的源极和漏极、以及若干个栅极，所述栅极包括： 第一栅极，用于施加第一直流电压信号以使所述第一栅极下方的沟道形成二维电子气； 第二栅极，用于施加第二直流电压信号调节所述第二栅极下方的沟道内的二维电子气的电荷密度以形成感应量子点； 位于所述第一栅极和所述第二栅极之间的第三栅极，用于施加射频信号读取所述感应量子点的状态； 其中，所述第一栅极在所述衬底上沿向所述第三栅极的方向延伸形成有第一延伸件，所述第三栅极在所述衬底上沿向所述第一栅极的方向延伸形成有第二延伸件，在垂直延伸方向，所述第一延伸件的端部和所述第二延伸件的端部重叠，重叠端部之间形成有绝缘介质层； 所述第一栅极和所述第三栅极均包括位于所述衬底上的焊盘和一端连接所述焊盘的信号传输线，所述信号传输线的另一端延伸至所述感应量子点所在区域；所述重叠端部位于所述信号传输线上靠近所述感应量子点所在区域的一端。

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