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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种采用多电感耦合和电流复用的低噪声放大器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119401953B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411446799.7，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种采用多电感耦合和电流复用的低噪声放大器结构是由孟祥雨;曾超杰;黄铤设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用多电感耦合和电流复用的低噪声放大器结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用多电感耦合和电流复用的低噪声放大器结构，包括多电感耦合网络和全nmos电流复用技术网络，所述多电感耦合网络和全nmos电流复用技术网络连接，其中：全nmos电流复用技术网络，用于使多级放大器流过同一电流，使多级放大器共用同一电源电压；多电感耦合网络，用于在输入节点实现宽带最大功率传输匹配和噪声系数匹配，以实现高功率传输和低噪声系数。通过使用本发明，可以同时实现宽带输入匹配和噪声匹配。本发明可广泛应用于射频接收机前端领域领域。

本发明授权一种采用多电感耦合和电流复用的低噪声放大器结构在权利要求书中公布了：1.一种采用多电感耦合和电流复用的LNA，其特征在于，包括多电感耦合网络和全nmos电流复用技术网络，所述多电感耦合网络和全nmos电流复用技术网络连接，其中： 多电感耦合网络，包括第一电感、第二电感、第三电感和第一电容，所述第一电感的第一端与所述第二电感的第二端连接；所述第二电感的第一端和所述第一电容的第一端连接；所述第一电感的第二端和所述第三电感的第一端分别与所述全nmos电流复用技术网络连接； 全nmos电流复用技术网络，包括cascode放大级模块、stack结构放大级模块、级间匹配网络、输出匹配网络和电压偏置模块，所述cascode放大级模块、所述stack结构放大级模块、所述级间匹配网络和所述输出匹配网络依次连接，所述电压偏置模块用于控制所述cascode放大级模块和所述stack结构放大级模块的晶体管栅端直流电压和漏源直流电压； 所述cascode放大级模块和所述stack结构放大级模块所采用的晶体管均为noms晶体管； 所述cascode放大级模块包括第一nmos晶体管、第二nmos晶体管、第二电容、第一电阻和第二电阻，其中： 所述第一nmos晶体管的栅极与所述第一电感的第二端连接，所述第一nmos晶体管的源极与所述第三电感的第一端连接，所述第一nmos晶体管的漏极与所述第二nmos晶体管的源极连接，所述第二nmos晶体管的栅极、所述第二电阻的第一端和所述第二电容的第一端相连，所述第一电阻的第一端与所述第一电感的第一端连接； 所述级间匹配网络包括第四电感、第五电感、第六电感、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容，其中： 所述第四电感的第一端与所述第三电容的第一端连接，所述第四电感的第二端、所述第三电容的第二端和所述第四电容的第一端相连，所述第五电感的第二端、所述第六电感的第二端、所述第五电容的第一端和所述第六电容的第一端相连，所述第六电感的第一端和所述第五电容的第二端相连； 所述stack结构放大级模块包括第三晶体管、第四晶体管、第三电阻、第四电阻、第七电容和第八电容，其中： 所述第三晶体管的栅极、所述第四电感的第一端和所述第三电阻的第一端相连，所述第三晶体管的源极与所述第五电感的第一端连接，所述第三晶体管的漏极、所述第八电容的第二端和所述第四晶体管的源极相连，所述第四晶体管的栅极、所述第八电容的第一端、所述第七电容的第一端和所述第四电阻的第一端相连。

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