芯恩(青岛)集成电路有限公司张文娅获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411265970.4，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件及其制造方法是由张文娅;刘武松设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在LDMOS器件区的场板下方靠近漏区的漂移区中形成不同于漂移区的反型轻掺杂区，由此通过该反型轻掺杂区调整场板下方角落处的电场，提高LDMOS器件的击穿电压，且有利于改善HCI效应。此外，在CMOS器件区的轻掺杂漏区注入时一道对LDMOS器件区进行注入，来形成该反型轻掺杂区，由此不需要另外增加光罩，成本较低。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 具有LDMOS器件区的衬底，所述LDMOS器件区的衬底中形成有横向分布的第一导电类型的漂移区和第二导电类型的第一阱，所述漂移区中形成有横向分布的第二导电类型的反型轻掺杂区和第一导电类型的第一漏区，所述第一阱中形成有第一源区，所述第一源区和所述第一漏区分居所述反型轻掺杂区的两侧，所述反型轻掺杂区中的第二导电类型离子的掺杂浓度低于所述第一漏区中的第一导电类型离子的掺杂浓度； 第一栅极结构，形成在所述第一源区和所述反型轻掺杂区之间的所述漂移区上； 侧墙，形成在所述第一栅极结构的侧壁上； 阻挡层，覆盖在所述第一栅极结构和所述第一漏区之间的所述漂移区、所述反型轻掺杂区和所述侧墙上并延伸到所述第一栅极结构的部分顶部上； 场板，形成在所述阻挡层上，且所述反型轻掺杂区位于所述场板的底部下方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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