荆门市格林美新材料有限公司;格林美股份有限公司许开华获国家专利权
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龙图腾网获悉荆门市格林美新材料有限公司;格林美股份有限公司申请的专利一种阴离子掺杂的四氧化三钴及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119370901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411497694.4，技术领域涉及：C01G51/04；该发明授权一种阴离子掺杂的四氧化三钴及其制备方法和应用是由许开华;赵亚强;张坤;李聪;段小波;杨广杰设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阴离子掺杂的四氧化三钴及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阴离子掺杂的四氧化三钴及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：1将Al掺杂的氧化钴与第一氟源混合，煅烧，得到表层F掺杂的氧化钴；2使用第二氟源，利用气相包覆的方法，对表层F掺杂的氧化钴进行F包覆，得到阴离子掺杂的四氧化三钴。本发明的方法利用体相湿法掺杂的方式进行Al掺杂，结合表层火法掺F以及外层气相F包覆，可以提高钴酸锂在高电压时的稳定性及电化学性能。
本发明授权一种阴离子掺杂的四氧化三钴及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种阴离子掺杂的四氧化三钴的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 1将Al掺杂的氧化钴与第一氟源混合，煅烧，得到表层F掺杂的氧化钴； 2使用第二氟源，利用气相包覆的方法，对表层F掺杂的氧化钴进行F包覆，得到阴离子掺杂的四氧化三钴； 步骤2所述第二氟源为氟硅酸钠； 步骤2所述气相包覆的方法为：在密闭容器中设置隔离件，使密闭容器分为上部和下部，将表层F掺杂的氧化钴放置于隔离件的上面，在隔离件的下方放置第二氟源，对第二氟源加热，产生含氟蒸汽，对所述表层F掺杂的氧化钴包覆。
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