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中国科学院微电子研究所黎宇航获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利激光加工碳基芯片的系统及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119347135B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411478028.6,技术领域涉及:B23K26/352;该发明授权激光加工碳基芯片的系统及方法是由黎宇航;张昆鹏;张思微;侯煜;石海燕;宋琦;李曼;薛美设计研发完成,并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

激光加工碳基芯片的系统及方法在说明书摘要公布了:本说明书实施例提供了一种激光加工碳基芯片的系统及方法,其中,系统包括:多波长激光发射模块,用于根据激光参数发射适用于不同晶体结构碳基芯片的激光束;智能控制装置,用于基于加工策略,根据碳基芯片的热学和光学特性动态调节激光参数,并将所述激光参数发送到所述多波长激光发射模块;自适应机器学习模块,用于根据监测数据,针对碳基芯片的加工特性,对加工策略进行优化,并将优化结果发送到所述智能控制装置;微纳米级激光抛光装置,用于对碳基芯片的表面进行处理;切割机构,用于进行碳基芯片的隐切;多模态传感和分析系统,用于监测加工过程中碳基芯片的结构完整性,将监测数据发送到所述自适应机器学习模块。

本发明授权激光加工碳基芯片的系统及方法在权利要求书中公布了:1.一种激光加工碳基芯片的系统,其特征在于,包括: 多波长激光发射模块,用于根据激光参数发射适用于不同晶体结构碳基芯片的激光束;具体用于: 根据碳基芯片的不同同素异形体、碳基材料的量子限制效应、能带结构和光学响应特性,选择最佳的激光波长,并对多层碳基芯片结构的特定层进行选择性加工; 智能控制装置,与所述多波长激光发射模块连接,用于基于加工策略,根据碳基芯片的热学和光学特性动态调节激光参数,并将所述激光参数发送到所述多波长激光发射模块;具体用于: 根据碳基芯片的热导率、热膨胀系数和光吸收特性、材料厚度、密度或组分的变化实时调整激光的功率密度、脉冲宽度和重复频率; 自适应机器学习模块,与所述智能控制装置连接,用于根据监测数据,针对碳基芯片的加工特性,对加工策略进行优化,并将优化结果发送到所述智能控制装置; 微纳米级激光抛光装置,用于对碳基芯片的表面进行处理; 切割机构,用于进行碳基芯片的隐切; 多模态传感和分析系统,与所述自适应机器学习模块连接,用于监测加工过程中碳基芯片的结构完整性,将监测数据发送到所述自适应机器学习模块。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所,其通讯地址为:100029 北京市朝阳区北土城西路3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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