南方科技大学陈鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种具有顶栅结构的晶体管及其制备方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230413B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411138339.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种具有顶栅结构的晶体管及其制备方法和电子设备是由陈鹏;张森瀚;梁锦旋设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有顶栅结构的晶体管及其制备方法和电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及电子器件领域，尤其涉及一种具有顶栅结构的晶体管及其制备方法和电子设备。所述制备方法包括步骤：提供表面具有二维材料层的衬底；在二维材料层上形成图案化的源极和漏极；在源极和漏极之间区域的二维材料层上依次形成缓冲层和种子层；去除缓冲层，使得二维材料层与种子层之间无应力和无损伤接触；在种子层上依次形成电介质层和顶部栅极，得到具有顶栅结构的晶体管。本发明方法实现了二维材料与高介电常数电介质的无应力和无损伤集成，减少了二维材料‑电介质界面态密度，保证了良好的栅控性能。
本发明授权一种具有顶栅结构的晶体管及其制备方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种具有顶栅结构的晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供表面具有二维材料层的衬底； 在所述二维材料层上形成图案化的源极和漏极； 在所述源极和漏极之间区域的二维材料层上依次形成缓冲层和种子层； 去除所述缓冲层，使得所述二维材料层与所述种子层之间无应力和无损伤接触； 在所述种子层上依次形成电介质层和顶部栅极，得到所述具有顶栅结构的晶体管； 所述缓冲层的材料为硒材料或碲材料，所述种子层的材料为氧化铝材料、氧化钽材料、氧化铪材料、氧化镁材料或氧化钇材料； 所述电介质层的材料为氧化铪材料、氧化铝材料或氧化钽材料； 通过退火工艺去除所述缓冲层。
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