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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411294363.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET及其制备方法是由朱邦民;杨雨行;徐航;孙清清;张卫设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET及其制备方法。该器件自下而上依次包括碳化硅衬底，N型漂移层和N型载流子存储层；N+区域和P+区域，交替分布在N型载流子存储层上部；深沟槽，贯穿所述N+区域和P+区域，底部位于N型载流子存储层中；P型掩埋层，形成在深沟槽底部的N型载流子存储层中；源极，填充中央N+区域两侧的深沟槽，在侧壁实现与N型载流子存储层的肖特基接触势垒；栅氧层，覆盖最外侧深沟槽的侧壁和底部；栅极，覆盖所述栅氧层并填充最外侧的深沟槽；P型基区，形成于栅极和源极间的N+区域和P+区域下方的N型载流子存储层中；钝化层，覆盖所述栅极表面；源极欧姆接触，覆盖器件表面。

本发明授权一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提升反向续流能力的SBD集成碳化硅MOSFET，其特征在于， 自下而上依次包括碳化硅衬底，N型漂移层和N型载流子存储层； N+区域和P+区域，交替分布在N型载流子存储层上部； 深沟槽，贯穿所述N+区域和P+区域，底部位于N型载流子存储层中； P型掩埋层，形成在深沟槽底部的N型载流子存储层中； 源极，填充中央N+区域两侧的深沟槽，在侧壁实现与N型载流子存储层的肖特基接触势垒； 栅氧层，覆盖最外侧深沟槽的侧壁和底部； 栅极，覆盖所述栅氧层并填充最外侧的深沟槽； P型基区，形成于栅极和源极间的N+区域和P+区域下方的N型载流子存储层中； 钝化层，覆盖所述栅极表面； 源极欧姆接触，覆盖器件表面， 其中，欧姆接触和肖特基接触同时作为反向导通机制，反向续流时器件源极欧姆接触部分在低电压下先导通，然后肖特基二极管打开，实现了器件更低的反向开启电压；阻断状态下，欧姆接触源极被肖特基势垒夹断，使得器件具有更低的反向漏电流。

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