浙江工业大学赵浙菲获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利苯胺分子改性半导体光阳极及其制备方法与光电催化甘油氧化的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119101929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411452092.7，技术领域涉及：C25B11/04；该发明授权苯胺分子改性半导体光阳极及其制备方法与光电催化甘油氧化的应用是由赵浙菲;王洪超;郑华均设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本苯胺分子改性半导体光阳极及其制备方法与光电催化甘油氧化的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种苯胺分子改性半导体光阳极及其制备方法与光电催化甘油氧化的应用；所述的光阳极以生长在导电玻璃FTO基底上的WO3、TiO2或BiVO4等为基础材料，再于其表面接枝分子级别的苯胺单体分子；这种改性手段不仅可以优化基础光阳极材料的电子结构以得到较高的光生电子‑空穴对迁移效率和存活时间，还可以形成空间位阻影响甘油分子在光阳极材料表面的吸附状态从而提升选择性；本发明改良的光阳极材料在光电催化甘油氧化为甘油醛、甘油酸、二羟基丙酮等高附加值的三碳产物的应用中表现出优异的催化活性和稳定性。
本发明授权苯胺分子改性半导体光阳极及其制备方法与光电催化甘油氧化的应用在权利要求书中公布了：1.一种苯胺分子改性半导体材料，其特征在于，按如下方法制备： 将苯胺加入乙醇水混合液中，搅拌，制得浸渍液；将基础半导体材料放入浸渍液中12～24h，之后取出用去离子水冲洗，烘干，得到所述苯胺分子改性半导体材料； 基础半导体材料选自具有纳米结构的WO3、TiO2或BiVO4。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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