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龙图腾网获悉中山大学申请的专利场发射电子源性能指标确定方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410646048.3，技术领域涉及：H01J9/42；该发明授权场发射电子源性能指标确定方法和装置是由唐帅;苟明楷;邓少芝;许宁生;沈岩;张宇;陈军;佘峻聪设计研发完成，并于2024-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本场发射电子源性能指标确定方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种场发射电子源性能指标确定方法和装置，包括：响应于交互界面的输入操作，获取场发射电子源的电流数组、对应的电压数组、功函数的预设值、场增强因子的预设值、计算模式；将电流数组和电压数组进行第一预处理和线性拟合，得到拟合公式；拟合公式包括第一参数的值和第二参数的值；根据计算模式、功函数的预设值或场增强因子的预设值、第一参数的值和第一参数的第一预设公式确定第一预设公式中的待确定参数；根据已确定的功函数的值、已确定的场增强因子的值、第二参数的值和第二参数的第二预设公式确定场发射电子源性能指标。本发明实施例能够优化计算过程，节省算力，可广泛应用于真空电子技术领域中冷阴极电子源性能指标表征。

本发明授权场发射电子源性能指标确定方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种场发射电子源性能指标确定方法，其特征在于，所述方法包括： 响应于交互界面的输入操作，获取场发射电子源的电流数组及对应的电压数组，获取功函数的预设值和场增强因子的预设值，获取计算模式； 将所述电流数组和所述电压数组进行第一预处理和线性拟合，得到拟合公式；所述拟合公式包括第一参数的值和第二参数的值，拟合公式：lnIV2=k×1V+b，I表示电流，V表示电压，k表示第一参数，b表示第二参数； 根据所述计算模式、所述功函数的预设值或所述场增强因子的预设值、所述第一参数的值和第一参数的第一预设公式确定所述第一预设公式中的待确定参数；所述第一预设公式包括待确定的功函数或待确定的场增强因子；所述计算模式包括固定功函数模式或固定场增强因子模式； 根据所述已确定的功函数的值、已确定的场增强因子的值、第二参数的值和第二参数的第二预设公式确定场发射电子源性能指标，所述场发射电子源性能指标包括电子发射面积、电流密度、单位面积电子隧穿数量或阴极的亮度中的任意一种或多种；其中，所述单位面积电子隧穿数量根据所述已确定的功函数及已确定的场增强因子的值确定，所述发射面积、所述电流密度及所述阴极的亮度根据所述单位面积电子隧穿数量确定。

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