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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118567023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410624874.8，技术领域涉及：G02B6/10；该发明授权一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器是由时尧成;文成峰;刘卫喜;宋立甲;戴道锌设计研发完成，并于2024-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器。主要包括形成起偏器的组合波导区和吸收泄露模式的泄露模吸收区。组合波导区依次包含输入条形脊波导、中间脊波导和输出条形脊波导，中间脊波导依次包括输入锥形脊波导、起偏脊波导和输出锥形脊波导。泄露模吸收区包括重掺杂硅吸收区和黑色环氧树脂吸收区，其中重掺杂硅吸收区对称的分布在组合波导区两侧，并在重掺杂硅吸收区外侧设计有布拉格光栅反射区，黑色环氧树脂吸收区则是通过在组合波导区下侧的Si衬底开出沟槽，填充黑色环氧树脂构成。本发明通过设计特定的中间脊波导结构参数在小尺寸SOI平台上实现物理起偏，同时通过泄露模吸收区解决了TM0模式泄露后再耦合入光学系统的问题。本发明减少了泄露模串扰对光学系统的影响，具有低损耗、低泄漏、高偏振消光比的特点，满足光通信、集成光学等领域的实际需求。

本发明授权一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器，其特征在于包括硅衬底1、二氧化硅包层和掩埋层2、底部填充沟槽的黑色环氧树脂层吸收区3、硅芯层a；其中硅芯层a包含脊形的组合波导区b、重掺杂硅吸收区4和最外侧的布拉格光栅反射区5；其结构从下到上依次为硅衬底1、二氧化硅掩埋层、硅芯层a和二氧化硅包层； 所述的组合波导区b依次由输入条形脊波导6、具有起偏作用的中间脊波导c和输出条形脊波导10组成；输入条形脊波导6与中间脊波导c的输入端相连，输出条形脊波导10与中间脊波导c的输出端相连； 组合波导区b两侧的重掺杂硅吸收区4和底部的黑色环氧树脂吸收区3组成泄露模式吸收区，重掺杂硅吸收区4外侧还分布有布拉格光栅反射区5；信号光输入组合波导区b后，TE0模式低损耗通过，TM0模式则以平板模式的形式泄露到硅平板层；泄露到硅平板层的平板模式，将会在泄露模式吸收区被吸收，重掺杂硅吸收区4吸收两侧的泄露到硅平板层的平板模式，由黑色环氧树脂吸收区3吸收泄露到底部的辐射模式； 所述的输入条形脊波导6和输出条形脊波导10分别作为起偏器的输入端和输出端，它们的宽度相同；输入条形脊波导6和输出条形脊波导10为弯曲波导或者直波导； 所述的中间脊波导c包括输入锥形脊波导7、起偏脊波导8和输出锥形脊波导9；且由输入锥形脊波导7、起偏脊波导8和输出锥形脊波导9依次连接组成；输入锥形脊波导7的输入端作为中间脊波导c的信号输入端，光信号从输入锥形脊波导7输入，经起偏脊波导8，又从输出锥形脊波导9输出； 所述的输入锥形脊波导7和输出锥形脊波导9的长度相等，并且满足对TE0模式的绝热传输；TE0模式通过输入锥形脊波导7和输出锥形脊波导9不会引入额外损耗； 所述起偏脊波导8为单模波导，专用于TE0模式低损传输，对TM0模式损耗显著；信号光进入组合波导区b后，TE0模式低损通过，而TM0模式则泄露至硅平板层；通过优化波导长度，实现TM0模式充分泄露，从而获得高偏振消光比； 所述的重掺杂硅吸收区4对称地分布在组合波导区b两侧，其对于泄露的平板模式的吸收能力强，对于重掺杂硅吸收区4的宽度进行优化，从而让泄露模泄露率低于-50dB。

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