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龙图腾网获悉北京大学申请的专利电阻确定电路和电阻确定系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118566678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410620248.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权电阻确定电路和电阻确定系统是由魏进;诺木琴;劳云鸿设计研发完成，并于2024-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本电阻确定电路和电阻确定系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电阻确定电路和电阻确定系统，电阻确定电路包括：第一控制模块，第一控制模块与高电子迁移率晶体管的控制端电连接；第二控制模块，第二控制模块与高电子迁移率晶体管的第一端电连接；高电子迁移率晶体管的第二端与基准电压端电连接；第一电容，第一电容的第一端与高电子迁移率晶体管的第一端以及第二控制模块电连接，第一电容的第二端与基准电压端电连接。本申请实施例能够基于一个电路实现软开关测试和硬开关测试。

本发明授权电阻确定电路和电阻确定系统在权利要求书中公布了：1.一种电阻确定电路，其特征在于，包括： 第一控制模块，所述第一控制模块与高电子迁移率晶体管的控制端电连接； 第二控制模块，所述第二控制模块与所述高电子迁移率晶体管的第一端电连接；所述高电子迁移率晶体管的第二端与基准电压端电连接； 第一电容，所述第一电容的第一端与所述高电子迁移率晶体管的第一端以及所述第二控制模块电连接，所述第一电容的第二端与所述基准电压端电连接； 在所述第一控制模块响应于接收到第一控制信号输出第一电压，所述第二控制模块响应于接收到第二控制信号输出第二电压的情况下，所述高电子迁移率晶体管的控制端控制所述高电子迁移率晶体管关断，所述高电子迁移率晶体管的第一端响应于所述第二控制模块输出的第二电压关断耐高压； 在所述第二控制模块响应于接收到第三控制信号输出第三电压，所述第一控制模块响应于接收到第四控制信号输出第四电压的情况下，所述高电子迁移率晶体管的第一端的电压被拉至所述第三电压，所述高电子迁移率晶体管的控制端控制所述高电子迁移率晶体管导通，通过检测所述高电子迁移率晶体管的第一端和所述高电子迁移率晶体管的第二端之间的电压，以及所述高电子迁移率晶体管的第二端输出的电流确定所述高电子迁移率晶体管的电阻；或者 在所述第一控制模块响应于接收到第一控制信号输出第一电压，所述第二控制模块响应于接收到第二控制信号输出第二电压的情况下，所述高电子迁移率晶体管的控制端控制所述高电子迁移率晶体管关断，所述高电子迁移率晶体管的第一端响应于所述第二控制模块输出的第二电压关断耐高压，所述第一电容的电压被拉高至所述第二电压； 在所述第二控制模块响应于接收到第五控制信号切断与所述高电子迁移率晶体管的电连接，所述第一控制模块响应于接收到第四控制信号输出第四电压，所述高电子迁移率晶体管的控制端控制所述高电子迁移率晶体管导通，第一电容通过所述高电子迁移率晶体管放电，在预设时间段后所述第二控制模块响应于接收到第三控制信号输出第三电压的情况下，所述高电子迁移率晶体管的第一端的电压被拉至所述第三电压，通过检测所述高电子迁移率晶体管的第一端和及所述高电子迁移率晶体管的第二端之间的电压，以及所述高电子迁移率晶体管的第二端输出的电流确定所述高电子迁移率晶体管的电阻。

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