东南大学周再发获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利基于氧化硅片制备的热式流量传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118500490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410559789.8，技术领域涉及：G01F1/696；该发明授权基于氧化硅片制备的热式流量传感器及制备方法是由周再发;程凤;张宇设计研发完成，并于2024-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于氧化硅片制备的热式流量传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于氧化硅片制备的热式流量传感器及制备方法，该传感器包括硅衬底、二氧化硅层、背面空腔、隔热口、铬黏附层、加热电阻、测温电阻、环境测温电阻、氮化硅保护层；其中加热电阻位于中间偏上位置，四个测温电阻对称的分布在加热电阻两侧；加热电阻和测温电阻中间隔热口，隔热口位于由背面空腔形成的悬浮桥上，包括三角隔热口和矩形隔热口；环境测温电阻位于空腔以外的位置；在二氧化硅层与加热电阻、测温电阻、环境测温电阻之间分别设有铬黏附层；在加热电阻、测温电阻、环境测温电阻上分别设有压焊块。本发明利用神经网络优化了悬浮桥，提高了热式流量传感器的机械强度，增加了上下游测温电阻的温差输出。
本发明授权基于氧化硅片制备的热式流量传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于氧化硅片制备的热式流量传感器，其特征在于，包括： 硅衬底100、二氧化硅层200、背面空腔300、隔热口410、铬黏附层500、加热电阻510、测温电阻520、环境测温电阻530、压焊块540和氮化硅保护层600； 所述二氧化硅层200位于硅衬底100上；在二氧化硅层200与加热电阻510、测温电阻520、环境测温电阻530之间分别设有铬黏附层500，在加热电阻510、测温电阻520、环境测温电阻530上分别设有压焊块540；氮化硅保护层600位于二氧化硅层200的外围； 所述测温电阻520包括对称分布在加热电阻510两侧的两个上游测温电阻和两个下游测温电阻，上游测温电阻位于加热电阻510的左侧，下游测温电阻位于加热电阻510的右侧；四个测温电阻位于惠斯通电桥的四臂上，环境测温电阻530与惠斯通电桥串联连接。
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