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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种无缺陷石墨炔分离膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118491321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410690628.2，技术领域涉及：B01D71/02；该发明授权一种无缺陷石墨炔分离膜的制备方法是由李琳;侯蒙杰;王华;齐洋;王琳;王同华设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无缺陷石墨炔分离膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种无缺陷石墨炔分离膜的制备方法，属于膜分离技术领域。一种无缺陷石墨炔分离膜的制备方法，包括以下步骤：将催化剂金属箔片进行机械抛光，然后进行电化学抛光，清洗后，将得到的金属箔片放入刻蚀液中刻蚀成具有若干凹槽的金属箔片，然后放入活化溶液中进行活化；随后在金属箔片上制备石墨炔膜，将附有石墨炔膜的金属箔片滴加刻蚀液进行第二次刻蚀，将原有凹槽部分刻蚀为通孔，得到无缺陷的石墨炔分离膜。本发明提供的石墨炔分离膜的催化剂载体活性位点更多，分布更平均，更容易促进石墨炔的合成反应，石墨炔的生长过程更加有序。

本发明授权一种无缺陷石墨炔分离膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无缺陷石墨炔分离膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 将催化剂金属箔片进行机械抛光，然后进行电化学抛光，清洗后，将得到的金属箔片放入刻蚀液中刻蚀成具有若干凹槽的金属箔片，然后放入活化溶液中进行活化；随后在金属箔片上制备石墨炔膜，将附有石墨炔膜的金属箔片滴加刻蚀液进行第二次刻蚀，将原有凹槽部分刻蚀为通孔，得到无缺陷的石墨炔分离膜，其中， 机械抛光方式为将金属箔片通过砂纸进行抛光处理，所述的砂纸型号为5000-20000目；打磨方式为砂纸目数递增抛光打磨，打磨时间为10-20min； 电化学抛光是将机械抛光得到的金属箔片作为阳极，不锈钢板作为阴极，在电解液中进行电化学抛光，其中，所述电解液为盐酸、硫酸或磷酸水溶液；所述的电化学抛光使用的电解液的质量分数为10~15wt.%，直流电流与阳极金属箔片的面积比例为2-10Adm2，电解时间为10-40min； 所述石墨炔分离膜按下述方法制备：将具有若干凹槽的金属箔片、六硅甲烷基乙炔基苯、四正丁基氟化铵、丙酮置于反应容器内，在氩气或氮气气氛下将N,N,N’,N’-四亚甲基乙二胺TMEDA、吡啶缓慢滴加到反应容器中进行反应，其中，按质量份之比，六硅甲烷基乙炔基苯：四正丁基氟化铵：丙酮：N,N,N’,N’-四亚甲基乙二胺TMEDA：吡啶为30~50:1~5:200~300:8~15:80~120；反应温度为50-80℃，反应时间为8-10h。

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