东南大学周再发获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利基于氧化硅片制备的二维流量传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118464137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410560156.9，技术领域涉及：G01F1/696；该发明授权基于氧化硅片制备的二维流量传感器及制备方法是由周再发;程凤;张宇设计研发完成，并于2024-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于氧化硅片制备的二维流量传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于氧化硅片制备的二维流量传感器及制备方法，该传感器包括硅衬底、二氧化硅层、背面空腔、刻蚀孔、黏附层、环形加热电阻、测温电阻、环境测温电阻、氮化硅保护层。其中硅衬底和二氧化硅层是由氧化硅片工艺生成；环形加热电阻的中心部分由刻蚀孔，位于芯片中心位置，四个测温电阻对称的分布在环形加热电阻四周，可分为X轴测温电阻和Y轴测温电阻；环形加热电阻和测温电阻中间刻蚀孔；环境测温电阻位于背面空腔以外的位置。本发明降低了热量向衬底的传输，刻蚀孔有效降低了热量在衬底的横向传输，提高了热量的利用率，提高了传感器输出的灵敏度和二维流量传感器悬浮薄膜的机械强度。
本发明授权基于氧化硅片制备的二维流量传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于氧化硅片制备的二维流量传感器，其特征在于，包括： 硅衬底100、二氧化硅层200、背面空腔300、刻蚀孔400、黏附层500、环形加热电阻510、测温电阻520、环境测温电阻530、压焊块540和氮化硅保护层600； 所述二氧化硅层200位于硅衬底100上；所述刻蚀孔400设置在由背面空腔300形成的悬浮薄膜上；在二氧化硅层200与环形加热电阻510、测温电阻520和环境测温电阻530之间均设有黏附层500，在环形加热电阻510、测温电阻520和环境测温电阻530上均设有压焊块540；所述氮化硅保护层600位于二氧化硅层200的外围； 所述测温电阻520包括X轴上游测温电阻、X轴下游测温电阻、Y轴上游测温电阻和Y轴下游测温电阻，对称且等距的位于环形加热电阻510的四周；所述测温电阻520中X轴测温电阻位于第一惠斯通电桥上，Y轴测温电阻位于第二惠斯通电桥上；环境测温电阻530与惠斯通电桥串联连接。
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