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龙图腾网获悉广州安凯微电子股份有限公司;清华大学深圳国际研究生院申请的专利一种基于三级放大器和前馈反相放大器的跨阻放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118282335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410428682.X，技术领域涉及：H03F1/42；该发明授权一种基于三级放大器和前馈反相放大器的跨阻放大器是由张博栋;罗啸;王思凡;罗则渌;潘少辉;冯海刚;胡胜发设计研发完成，并于2024-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三级放大器和前馈反相放大器的跨阻放大器在说明书摘要公布了：本申请属于模拟集成电路设计技术领域，公开了一种基于三级放大器和前馈反相放大器的跨阻放大器，包括第一级放大器、第二级放大器、第三级放大器、前馈反相放大器和米勒补偿电路；第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器依次串联连接，前馈反相放大器分别连接第一级放大器的输入端和第三级放大器的输出端；米勒补偿电路与第二级放大器并联；本申请能够令跨阻放大器在实现高增益的同时，实现高带宽和高稳定性。

本发明授权一种基于三级放大器和前馈反相放大器的跨阻放大器在权利要求书中公布了：1.一种基于三级放大器和前馈反相放大器的跨阻放大器，其特征在于，包括第一级放大器、第二级放大器、第三级放大器、前馈反相放大器和米勒补偿电路，以及分别与所述第二级放大器和所述第三级放大器连接的共模检测反馈电路； 所述第一级放大器、所述第二级放大器和所述第三级放大器依次串联连接，所述前馈反相放大器分别连接所述第一级放大器的输入端和所述第三级放大器的输出端；所述第一级放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第二电阻；所述第一PMOS管的漏极分别连接所述第一NMOS管的漏极和所述第一电阻的高压输入端，源极连接所述第三PMOS管的漏极，栅极为差分输入端VIN；所述第二PMOS管的漏极分别连接所述第二NMOS管的漏极和所述第二电阻的高压输入端，源极连接所述第三PMOS管的漏极，栅极为差分输入端VIP；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极互相连接，并连接到所述第一电阻和所述第二电阻互相连接的低压输入端，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极均接地；所述第三PMOS管的栅极接收第一偏置电压，源极接收电源电压；所述第二级放大器包括第三NMOS管、第四NMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管；所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极连接，漏极与所述第四PMOS管的漏极连接，源极接地；所述第四NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，漏极与所述第五PMOS管的漏极连接，源极接地；所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极均接收所述共模检测反馈电路的共模反馈电压，所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的源极均接收所述电源电压； 所述米勒补偿电路与所述第二级放大器并联。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州安凯微电子股份有限公司;清华大学深圳国际研究生院，其通讯地址为：510555 广东省广州市黄埔区博文路107号(安凯微电子H大厦)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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