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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117790575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311835721.X，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法是由伊晓燕;马驰骋;张逸韵;李志聪;王军喜;李晋闽设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法，该环栅场效应晶体管包括：N型掺杂的氧化镓衬底；柱状沟道，形成于氧化镓衬底，适用于为电流流动提供通道；第一绝缘层，设置在氧化镓衬底上环绕于柱状沟道周围的区域；栅极介质层，设置在第一绝缘层上，并延伸至包围柱状沟道的侧面区域；栅极金属层，设置在栅极介质层上，呈环状包围栅极介质层，适用于控制柱状沟道中的电流流动；第二绝缘层，设置在栅极金属层上，具有贯通至栅极金属层的电极孔，电极孔以柱状沟道为中心呈环状；栅极，设置在第二绝缘层上并贯穿电极孔，与栅极金属层接触；源极，设置在柱状沟道顶部；以及漏极，设置在氧化镓衬底的底部。

本发明授权基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管，包括： N型掺杂的氧化镓衬底1； 柱状沟道2，形成于所述N型掺杂的氧化镓衬底1上，并与所述氧化镓衬底1直接接触，适用于为电流流动提供通道； 第一绝缘层3，设置在所述N型掺杂的氧化镓衬底1上环绕于所述柱状沟道2周围的区域，所述第一绝缘层3与所述柱状沟道2在水平方向上具有间隔距离，所述第一绝缘层3适用于隔离所述N型掺杂的氧化镓衬底1和栅极金属层5； 栅极介质层4，设置在所述第一绝缘层3上，并延伸至包围所述柱状沟道2的侧面区域，适用于隔离所述栅极金属层5和所述柱状沟道2，以便栅极7控制所述柱状沟道2； 所述栅极金属层5，设置在所述栅极介质层4上，呈环状包围所述栅极介质层4，适用于控制所述柱状沟道2中的电流流动； 第二绝缘层6，设置在所述栅极金属层5上，具有贯通至所述栅极金属层5的电极孔，所述电极孔以所述柱状沟道为中心呈环状； 所述栅极7，设置在所述第二绝缘层6上并贯穿所述电极孔，与所述栅极金属层5接触； 源极8，设置在所述柱状沟道2顶部；以及 漏极9，设置在所述N型掺杂的氧化镓衬底1的底部。

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