北京航空航天大学宁晓琳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种用于脑磁源定位的局部传感器阵列设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117653123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311751745.7，技术领域涉及：A61B5/245；该发明授权一种用于脑磁源定位的局部传感器阵列设计方法是由宁晓琳;王文丽;高阳设计研发完成，并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于脑磁源定位的局部传感器阵列设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于脑磁源定位的局部传感器阵列设计方法。方法包括：基于头部核磁共振影像获取被试头皮表面和皮质表面，采用三维重建技术获得头皮表面网格，进一步生成候选传感器阵列；基于布罗德曼分区系统选取感兴趣大脑功能区的偶极子源，采用Frobenius范数计算选定偶极子源对应的阵列灵敏度；基于阵列灵敏度确定局部传感器阵列初始位置，基于尺寸半径和间距半径确定传感器的体积和相邻传感器距离。本发明所实现的局部传感器阵列设计方法简单高效，并具有较强的实用性和普适性，可以在传感器数量有限的情况下获得更为准确的源估计。
本发明授权一种用于脑磁源定位的局部传感器阵列设计方法在权利要求书中公布了：1.一种用于脑磁源定位的局部传感器阵列设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：对扫描所得的个体头部核磁共振影像进行脑区分割，采用三维重建技术获得头皮表面网格和皮质表面网格，采用头皮表面网格和皮质表面网格生成候选传感器阵列； 步骤2：基于布罗德曼图谱将皮质表面分割成104个大脑功能区，在感兴趣大脑功能区内随机选取个偶极子源，采用Frobenius范数计算选定偶极子源对应的阵列灵敏度； 步骤3：基于阵列灵敏度确定传感器的初始位置N1，采用尺寸半径r和间距半径R约束传感器的体积和相邻传感器距离，基于用户设定的传感器数量N依次确定每个传感器的位置，并生成局部传感器阵列； 步骤4：将模拟生成的局部传感器阵列位置信息投射到被试真实的头皮表面，使其应用于构建SERF-MEG系统。
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