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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117488283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311504264.6，技术领域涉及：C23C16/511；该发明授权一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法是由郭可升;武帅;郑森杰;吴进;杨振怀;刘宏设计研发完成，并于2023-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及光电领域，公开了一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将基片放置在脉冲激光沉积系统的样品台上，将靶材放置在靶托，在基片表面脉冲激光沉积保护层；将沉积后的基片放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，通入氢气和氩气，对保护层表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，通入甲烷气体和氧气气体，在保护层表面生长金刚石；停止通入甲烷和氧气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有高导热防护金刚石薄膜的基片。通过脉冲激光沉积的保护层对所保护的基片的损伤非常低，并且在保护层成功的异质外延生长金刚石层，可以大幅降低金刚石和基片间直接的界面热阻。

本发明授权一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将基片放置在脉冲激光沉积系统的样品台上，将靶材放置在靶托，在所述基片表面脉冲激光沉积保护层； 步骤1中，所述脉冲激光沉积保护层包括以下步骤： 先用机械泵抽真空至真空度为1~10Pa，再用分子泵抽真空至真空度为1×10-4~55×10-4Pa； 所述基片表面脉冲激光沉积保护层时的系统参数，脉冲激光沉积系统中激光器的功率为10~1000W、脉冲宽度为1~500ns、重复频率为20~100kHz； 通入氮气，氮气流量为20~100sccm，腔体气压控制为0.5-20Pa，在氮气氛围中提高激光能量至50mJ，沉积2~4分钟，降低激光能量至5mJ，同时通入氩气，氩气流量为20~100sccm，添加偏压50V，继续沉积4~6分钟； 2将沉积后的所述基片放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，通入氢气和氩气，对所述保护层表面进行等离子体清洗； 3停止通入氩气，通入甲烷气体和氧气气体，在所述保护层表面生长金刚石； 4停止通入甲烷和氧气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有高导热防护金刚石薄膜的所述基片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人季华实验室，其通讯地址为：528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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