湖南航天诚远精密机械有限公司余垂有获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南航天诚远精密机械有限公司申请的专利用于光固化成型的碳化硅陶瓷及其反应结合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117362042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311306049.5，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权用于光固化成型的碳化硅陶瓷及其反应结合方法是由余垂有;宋满新;田非凡;欧帆;张天雷;刘杰设计研发完成，并于2023-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于光固化成型的碳化硅陶瓷及其反应结合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于光固化成型的碳化硅陶瓷及其反应结合方法，该反应结合方法，包括以下步骤：S1.准备碳化硅预制件；S2.将硅粉和沥青放置于容器中，将碳化硅预制件放置于硅粉和沥青上方，整体放置于真空脱脂烧结炉中烧结，使得沥青挥发沉积于碳化硅预制件孔隙中、沉积于孔隙中的沥青脱除杂质、再形成硅蒸气与碳充分反应，得到致密碳化硅制件。本发明的碳源气化结合气相渗硅的方法，能够有效解决光固化成型中无法加入石墨等碳源的短板，同时可以解决预制件反复渗碳和脱脂的复杂工序。本发明不仅有效增加预制件中碳源含量，还可以保证烧结后产品结构更加均匀，表面质量优良，无开裂，变形等现象。
本发明授权用于光固化成型的碳化硅陶瓷及其反应结合方法在权利要求书中公布了：1.用于光固化成型的碳化硅陶瓷的反应结合方法，其特征在于包括以下步骤： S1.准备碳化硅预制件； S2.将硅粉和沥青放置于容器中，将碳化硅预制件放置于硅粉和沥青上方，进行真空烧结，使得沥青挥发沉积于碳化硅预制件孔隙中、使沉积于孔隙中的沥青脱除杂质、再形成硅蒸气与碳充分反应，得到致密碳化硅制件； S2中真空烧结条件为： 先于250~350℃保温3~5小时； 再于450~600℃保温3~5小时； 然后于1600~1750℃保温3~5小时； 450~600℃的升温速率为0.5~1.5℃min； 250~350℃的升温速率为0.5~1.5℃min； 1600~1750℃的升温速率为1~5℃min； S1中所述碳化硅预制件的制备方法为将碳化硅陶瓷素坯进行脱脂，完成脱脂即得； 所述碳化硅陶瓷素坯为由光敏树脂和碳化硅制备得到的陶瓷浆料，经过光固化3D打印成型得到。
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