同济大学王颖获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种超低钌载量多孔阴极材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117303509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311111123.8，技术领域涉及：C02F1/461；该发明授权一种超低钌载量多孔阴极材料及其制备方法与应用是由王颖;徐斌成;李风亭设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低钌载量多孔阴极材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及钌基催化剂技术领域，具体为一种超低钌载量多孔阴极材料及其制备方法与应用，方法包括步骤：将钴盐和有机配体溶于混合溶剂中，制得混合溶液，所述有机配体为对苯二甲酸或2,6‑萘二羧酸，所述混合溶剂由N,N‑二甲基甲酰胺、水和乙醇混合组成；将经过预处理的电极基体置于所述混合溶液中，反应后制得多孔阴极材料；将所述多孔阴极材料置于钌盐溶液中，反应后制得超低钌载量多孔阴极材料。本发明通过多孔纳米结构和原子分散钌活性位点耦合，实现了超低钌载量条件下氯代有机物高还原活性，大幅度提升了钌的原子利用率。
本发明授权一种超低钌载量多孔阴极材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种超低钌载量多孔阴极材料的制备方法，其特征在于，包括步骤： 将钴盐和有机配体溶于混合溶剂中，制得混合溶液，所述有机配体为对苯二甲酸或2,6-萘二羧酸，所述混合溶剂由N,N-二甲基甲酰胺、水和乙醇混合组成； 将经过预处理的电极基体置于所述混合溶液中，反应后制得多孔阴极材料； 将所述多孔阴极材料置于钌盐溶液中反应，通过离子交换法实现钌原子在多孔钴基纳米片的负载，实现了钌在纳米片上原子级分散，反应后制得超低钌载量多孔阴极材料；其中，反应的温度为：80-120℃，反应的时间为12-48h； 所述钌盐溶液的浓度为0.001-0.01molL。
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