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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种连续介质相干阵边发射半导体激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117293659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311251556.3，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种连续介质相干阵边发射半导体激光器及制备方法是由王智勇;齐军;兰天设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种连续介质相干阵边发射半导体激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种连续介质相干阵边发射半导体激光器及制备方法，包括：导电衬底、形成于导电衬底上表面的外延层以及位于外延层两侧的后端光学介质波导区和前端光学介质波导区；外延层的上表面设置有一维阵列脊波导区；后端光学介质波导区上刻蚀得到后端相位光栅层，前端光学介质波导区上刻蚀得到前端相位光栅层；一维阵列脊波导区的上表面设置P面电极，导电衬底的下表面设置N面电极，后端相位光栅层的端面设置高反膜，前端相位光栅层的端面设置增透膜。本发明的激光器无需外部光学元件对超模的选择便可实现同相模激射，并且光场在远场慢轴方向具有超窄发散角，大大提高了阵列半导体激光器与光纤的耦合效率。

本发明授权一种连续介质相干阵边发射半导体激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种连续介质相干阵边发射半导体激光器，其特征在于，包括：导电衬底、形成于所述导电衬底上表面的外延层以及形成于所述导电衬底上表面的后端光学介质波导区和前端光学介质波导区，所述后端光学介质波导区和前端光学介质波导区位于所述外延层的两侧； 所述外延层的上表面设置有一维阵列脊波导区，所述一维阵列脊波导区的长度满足Talbot效应； 所述后端光学介质波导区包括自下至上依次设置的第一光学介质波导层、第二光学介质波导层和第三光学介质波导层，所述第二光学介质波导层上刻蚀得到后端相位光栅层； 所述前端光学介质波导区包括自下至上依次设置的第四光学介质波导层、第五光学介质波导层和第六光学介质波导层，所述第五光学介质波导层上刻蚀得到前端相位光栅层； 所述一维阵列脊波导区的上表面设置P面电极，所述导电衬底的下表面设置N面电极，所述后端相位光栅层的端面设置高反膜，所述前端相位光栅层的端面设置增透膜； 所述后端光学介质波导区的长度小于所述前端光学介质波导区的长度，所述后端相位光栅层的长度小于所述前端相位光栅层的长度；所述后端相位光栅层的尺寸参数：刻蚀深度为1.4μm～2.2μm，宽度为3μm～6μm，长度为0.3μm～3μm；所述前端相位光栅层的尺寸参数：刻蚀深度为1.4μm～2.2μm，宽度为3μm～6μm，长度为0.6μm～6μm。

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