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龙图腾网获悉中环领先半导体材料有限公司申请的专利一种进气装置和晶圆生长设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117165922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311111102.6，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种进气装置和晶圆生长设备是由孙晨光;龚赛;杨振域;杜金生;常雪岩;蒋杰;杨旭玮;沈宇晨;王彦君;郝小辉设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种进气装置和晶圆生长设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种进气装置和晶圆生长设备，属于晶圆生长技术领域，该进气装置包括第一管路，具有第一进气端和第一出气端；第二管路，具有第二出气端，第二出气端位于第一进气端和第一出气端之间，第二管路通过第二出气端连通第一管路；第三管路，具有第三出气端；法兰，法兰围合形成有出气口，出气口的出气方向为第一方向，出气口还具有与第一方向相交的第二方向；法兰内具有多个与出气口连通的气穴，多个气穴沿着第二方向间隔排列，且位于中间的气穴与第一出气端连通，其余气穴与第三出气端或者第二出气端连通。本申请可避免辅助反应气体和主反应气体在生长腔室中混合时容易出现的气流相互扰动现象，增加晶圆片之间出片膜厚和电阻的稳定性。

本发明授权一种进气装置和晶圆生长设备在权利要求书中公布了：1.一种进气装置，其特征在于，包括： 第一管路100，具有第一进气端101和第一出气端102； 第二管路110，具有第二出气端111，所述第二出气端111位于所述第一进气端101和所述第一出气端102之间，所述第二管路110通过所述第二出气端111连通所述第一管路100； 第三管路120，具有第三出气端121； 法兰200，所述法兰200围合形成有出气口211，所述出气口211的出气方向为第一方向X，所述出气口211还具有与所述第一方向X相交的第二方向Y；所述法兰200内具有多个与所述出气口211连通的气穴212，多个所述气穴212沿着所述第二方向Y间隔排列，且位于中间的所述气穴212与所述第一出气端102连通，其余所述气穴212与所述第三出气端121或者所述第一出气端102连通；所述法兰200还具有多个出气通道230，所述出气通道230与所述气穴212相对应，且所述出气通道230连通于所述气穴212和所述出气口211之间； 其中，沿所述第一方向X，所述出气通道230具有相对的第一侧壁231和第二侧壁232，所述第一侧壁231与所述第二侧壁232之间具有第一尺寸a，满足：0.6mm≤a≤0.9mm；沿所述第二方向Y，所述气穴212具有第二尺寸b，满足：56mm≤b≤60mm。

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