浙江大立科技股份有限公司钱良山获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大立科技股份有限公司申请的专利真空封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117069049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311196731.3，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权真空封装结构及其制备方法是由钱良山;杨翔宇;罗雯雯;潘峰;马志刚;姜利军;范奇;罗华林设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本真空封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种真空封装结构及其制备方法。真空封装结构包括：衬底；导电基座，导电基座设置在衬底表面；第一吸气剂层，第一吸气剂层设置于导电基座表面；微桥结构，微桥结构支撑设置于第一吸气剂层的表面；第二吸气剂层，第二吸气剂层设置于导电基座表面，且位于第一吸气剂层与微桥结构围合的空间内。本发明无需在元器件封装管壳上焊接吸气剂柱或吸气剂片，无需在盖板上为吸气剂提供额外空间，在减小元器件封装尺寸，降低器件成本的情况下，增大了吸气剂的暴露面积，提高了元器件的真空度；且能够通过电激活或热激活方式对第一吸气剂层及第二吸气剂层进行多次激活，增加第一吸气剂层及第二吸气剂层的寿命。
本发明授权真空封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种真空封装结构，其特征在于，包括： 衬底； 导电基座，所述导电基座设置在所述衬底表面； 第一吸气剂层，所述第一吸气剂层设置于所述导电基座表面； 微桥结构，所述微桥结构支撑设置于所述第一吸气剂层的表面，所述微桥结构包括桥墩，所述桥墩包括包覆所述第一吸气剂层的绝缘层，以及包覆所述绝缘层的第一电极层，所述第一吸气剂层至少有一面暴露，所述第一电极层与所述导电基座连接； 第二吸气剂层，所述第二吸气剂层设置于所述导电基座表面，且位于所述第一吸气剂层与所述微桥结构围合的空间内； 反射层，设置于所述衬底的上表面，且所述导电基座位于所述反射层的两侧。
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