北京亦盛精密半导体有限公司李靖晗获国家专利权
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龙图腾网获悉北京亦盛精密半导体有限公司申请的专利一种高纯碳化硅制件的修补方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117067372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311049558.4，技术领域涉及：B28B11/08；该发明授权一种高纯碳化硅制件的修补方法是由李靖晗;张慧;王力;李华民;包根平设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纯碳化硅制件的修补方法在说明书摘要公布了：本申请涉及碳化硅修补领域，具体公开了一种高纯碳化硅制件的修补方法。该修补方法包括：将待修补制件置于腔室内，待腔室内气压稳定后，在待修补制件的底部施加热源，并在待修补制件的顶部施加两股载气气流，以在待修补制件的沉积方向上形成梯度温度场；其中，载气气流包括平行于待修补制件表面方向的吹扫载气气流、和垂直于待修补制件表面方向的反应物载气气流；待梯度温度场稳定后，在反应物载气气流中加入硅碳源反应气进行碳化硅沉积，并逐渐提高载气气流的温度，沉积完后取出进行热处理及表面打磨，热处理后得到碳化硅制件。该方法能够减少沉积填充尖锐凹陷裂纹时的尖端空鼓现象，并减少修补后制件表面的多余沉积。
本发明授权一种高纯碳化硅制件的修补方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯碳化硅制件的修补方法，其特征在于，其包括： 将待修补制件置于腔室内，抽真空后，持续通入载气； 待腔室内气压稳定后，在所述待修补制件的底部施加热源，并在所述待修补制件的顶部施加两股载气气流，以在所述待修补制件的沉积方向上形成梯度温度场；其中，所述载气气流包括平行于所述待修补制件表面方向的吹扫载气气流、和垂直于所述待修补制件表面方向的反应物载气气流，所述热源的温度为T1，所述载气气流的温度均为T2，且满足：T1-T2=200~700℃； 待所述梯度温度场稳定后，在所述反应物载气气流中加入硅碳源反应气进行碳化硅沉积，并逐渐提高所述载气气流的温度，当沉积完成时所述载气气流的温度为T3，且满足T1-T3=0~400℃，得到修复件初品； 对所述修复件初品进行热处理及表面打磨，得到碳化硅制件。
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