北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司曹宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司申请的专利基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116947026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210387265.6，技术领域涉及：C01B32/168；该发明授权基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法是由曹宇;白兰;梁学磊;陈醒醒设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法。采用含有可降解基团的共轭聚合物分离制备高纯度半导体碳纳米管溶液，并基于此溶液采用微流道两相限域自组装法同时在两片衬底上制备高密度碳纳米管阵列，随后使用弱酸性溶剂将碳纳米管表面包裹的可降解聚合物分解为小分子，经过后续清洗、退火等工序，使其完全从碳纳米管表面去除，得到高半导体纯度、高密度和表面无聚合物包裹的本征碳纳米管阵列，为实现碳纳米管的极限性能奠定了材料基础，有利于碳纳米管电子技术的早日应用。
本发明授权基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于可降解聚合物和微流道制备本征碳纳米管阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：基于可降解共轭聚合物和碳纳米管原材料制备溶剂为第一相有机溶剂的半导体碳纳米管溶液； 步骤二：将相对的两片衬底竖直浸入步骤一所制备的所述半导体碳纳米管溶液中，在所述两片衬底间形成一个限域的微流道，所述微流道的宽度为1-3mm，然后将与所述半导体碳纳米管溶液互不相溶的第二相有机溶剂滴加到所述微流道中； 步骤三：通过向上提拉使碳纳米管在所述两片衬底和两相溶液相交的三相界面自组装形成碳纳米管阵列； 步骤四：将步骤三获得的所述碳纳米管阵列在弱酸性溶液中清洗，并在清洗溶剂中浸泡清洗和退火，获得本征碳纳米管阵列。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司;太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司，其通讯地址为：100084 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励