佛山市国星半导体技术有限公司崔永进获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116914040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310970271.9，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED是由崔永进;秦明惠;程绮琳设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。其中，高亮度发光二极管外延结构，包括衬底，依次层叠的缓冲层、未掺杂GaN层、N‑GaN层、有源层、叠障层、第一P‑GaN层、分流层、第二P‑GaN层和接触层；其中，叠障层为Mg掺AlxGa1‑xN层；分流层包括依次层叠的AlN层和Mg掺AlyGa1‑yN层，接触层为Mg掺AlzGa1‑zN层，Mg掺AlxGa1‑xN层、Mg掺AlyGa1‑yN层、Mg掺AlzGa1‑zN层中均形成有多个Al量子点，以形成多层次的取光通道。实施本发明，可提升发光二极管外延结构的亮度，且不提升工作电压。
本发明授权高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED在权利要求书中公布了：1.一种高亮度发光二极管外延结构，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N-GaN层、有源层、叠障层、第一P-GaN层、分流层、第二P-GaN层和接触层； 其中，所述叠障层为Mg掺AlxGa1-xN层，x为0.1～0.3；所述分流层包括依次层叠于所述第一P-GaN层上的AlN层和Mg掺AlyGa1-yN层，y为0.15～0.35；所述接触层为Mg掺AlzGa1-zN层，z为0.1～0.2； 所述Mg掺AlxGa1-xN层、Mg掺AlyGa1-yN层、Mg掺AlzGa1-zN层中均形成有多个Al量子点，以形成多层次的取光通道。
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