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龙图腾网获悉汉威科技集团股份有限公司申请的专利一种通过模拟通用存储器实现FLASH均匀磨损的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116893986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310845564.4，技术领域涉及：G06F12/1009；该发明授权一种通过模拟通用存储器实现FLASH均匀磨损的方法是由武传伟;张晓男;桑小田;侯梦迪;张嘉嵘;高良;杨晓雯设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过模拟通用存储器实现FLASH均匀磨损的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种通过模拟通用存储器实现FLASH均匀磨损的方法，包括以下步骤：基于FLASH模拟通用存储器，为所述通用存储器的每个页面配置一个信息表；当向FLASH中请求写入数据时，基于每个页面的信息表生成页面映射表，并基于页面映射表确定目标写入页，将数据写入目标写入页；当向FLASH中请求读取数据时，基于每个页面的信息表生成页面映射表，并基于页面映射表确定目标读取页，从目标读取页读取数据。本发明在标准的FlashROM存储芯片之上，建立一个可控的逻辑层，把未经平衡的FlashROM存储芯片，映射为地址访问优化的通用存储器空间，省去了专门的存储外设，基于页面映射表进行写入或读取数据，可快速方便地实现均衡FLASH的磨损程度。

本发明授权一种通过模拟通用存储器实现FLASH均匀磨损的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过模拟通用存储器实现FLASH均匀磨损的方法，其特征在于，包括以下步骤： 基于FLASH模拟通用存储器，为所述通用存储器的每个页面配置一个信息表，所述信息表包括该页的擦除次数、地址段、校验字和写入串号SN；所述校验字表示该页的页面状态，包括无效和有效两个值；所述地址段为该页所模拟的数据存储的逻辑地址区间，每个地址段的长度为页面长度减去信息表的长度；擦除次数为该页的擦除次数；写入串号SN为全部页面擦除次数的总和； 当向FLASH中请求写入数据时，基于每个页面的信息表生成页面映射表，并基于页面映射表确定目标写入页，将数据写入目标写入页； 基于页面映射表确定目标写入页，将数据写入目标写入页包括以下步骤： 基于页面映射表将待写入数据的信息转换为地址段、段内字节地址以及在该地址段可用的数据长度； 确定是否有页面的地址段与其匹配，若有，则基于页面映射表确定每个匹配页面的页面状态，所述页面状态包括有效页、无效页和空闲页； 根据每个匹配页面的页面状态确定目标写入页，更新其信息表； 将目标写入页数据读至内部缓存区，并根据段内字节地址，将待写入数据写至内部缓存区的尾部； 将内部缓存区中的所有数据全部写入目标写入页中，并用待写入数据的数据长度减去本次写入数据的长度； 多次重复上述步骤，直至所有待写入数据均被写入； 当向FLASH中请求读取数据时，基于每个页面的信息表生成页面映射表，并基于页面映射表确定目标读取页，从目标读取页读取数据； 基于页面映射表确定目标读取页，从目标读取页读取数据包括以下步骤： 基于页面映射表将待读取数据的信息转换为地址段、段内字节地址以及在该地址段可用的数据长度； 根据页面映射表寻找对应的页地址作为目标读取页； 根据段内字节地址和数据长度从目标读取页找到待读取数据，并读取至内部缓存区，再从内部缓存区读取数据； 用待读取数据的长度减去本次待读取数据的长度； 多次重复上述步骤，直至所有待读取数据均被读出。

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