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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种高阶曲率温度补偿带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116880644B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311017988.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种高阶曲率温度补偿带隙基准电路是由王子轩;杜逸飞;蔡志匡;郭宇锋;王乾宇;王鑫设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高阶曲率温度补偿带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于，包括依次级联的正温度电流产生电路，负温度电流产生电路，高阶温度补偿电路和电流电压转换电路，所述正温度电流产生电路用于产生与绝对温度正相关的电流，所述负温度电流产生电路用于产生与绝对温度负相关的电流；所述高阶温度补偿电路产生补偿电流，用于补偿电流中高阶的温度相关分量；所述电压转换电路将三个电流叠加后的电流转换成带隙基准电压VREF。本发明提高了电路系统的稳定性。

本发明授权一种高阶曲率温度补偿带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种高阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于，包括依次级联的正温度电流产生电路，负温度电流产生电路，高阶温度补偿电路和电流电压转换电路，所述正温度电流产生电路用于产生与绝对温度正相关的电流IPTAT；所述负温度电流产生电路用于产生与绝对温度负相关的电流ICTAT；所述高阶温度补偿电路产生补偿电流ICOMP，用于补偿电流中高阶的温度相关分量；所述电压转换电路将电流IPTAT，电流ICTAT和补偿电流ICOMP叠加后的电流转换成带隙基准电压VREF； 所述高阶温度补偿电路包括第一～四N型场效应晶体管，第四、第五P型场效应晶体管，第三运算放大器和第三电阻；所述第一N型场效应晶体管的栅极连接第一N型场效应晶体管的漏极，第二N型场效应晶体管的栅极和第四P型场效应晶体管的漏极，所述第四P型场效应晶体管的栅极连接正温度电流产生电路，第四P型场效应晶体管的源级连接电源VDD，所述第一N型场效应晶体管的源级连接第五P型场效应晶体管的漏极，第三电阻的一端，第三N型场效应晶体的栅极，第四N型场效应晶体的栅极，第四N型场效应晶体的漏极以及电压转换电路；所述第五P型场效应晶体的栅极连接负温度电流产生电路，源级连接电源VDD；所述第四N型场效应晶体管的漏极接地，所述第三电阻的另外一段连接第三运算放大器的输出端和第三运算放大器的反相输入端，第三运算放大器的同相输入端连接第二N型场效应晶体管的源级和第三N型场效应晶体管的漏极，第二N型场效应晶体管的漏极连接电源VDD，第三N型场效应晶体管的源级接地。

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