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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种碳化硅基FINFET功率器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116844963B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310953187.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种碳化硅基FINFET功率器件及其制备方法、芯片是由吴龙江设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅基FINFET功率器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种碳化硅基FINFET功率器件及其制备方法、芯片，通过在碳化硅衬底的正面依次外延生长N型漂移层以及P型开关隔离层，P型开关隔离层被电压信道层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区，在电压信道层上形成电流扩散层，并在电流扩散层两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层、多个隔离结构以及多个栅区沟道结构，在栅区沟道结构上形成栅极金属层，通过栅极金属层以及鳍状结构的栅区沟道结构感应得到多条电流通道达到源极，并通过在电流扩散层上形成肖特基金属层，以最低的成本和芯片占用面积在器件中集成肖特基二极管，提升了碳化硅基FINFET功率器件的开关速度和可靠性。

本发明授权一种碳化硅基FINFET功率器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅基FINFET功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在碳化硅衬底的正面依次外延生长N型漂移层以及P型开关隔离层； 对所述P型开关隔离层的指定区域进行N型掺杂形成电压信道层，以将所述P型开关隔离层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区； 在所述电压信道层上形成电流扩散层，并在所述电流扩散层两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层、多个隔离结构以及多个栅区沟道结构；其中，所述第一源极掺杂层位于所述第一开关隔离区上，且通过所述栅区沟道结构与所述电流扩散层连接，所述第二源极掺杂层位于所述第二开关隔离区上，且通过所述栅区沟道结构与所述电流扩散层连接； 在所述栅区沟道结构上形成栅极金属层；其中，所述栅极金属层与所述栅区沟道结构之间绝缘； 在所述电流扩散层上形成肖特基金属层；其中，所述肖特基金属层与所述电流扩散层之间形成肖特基接触； 在所述碳化硅衬底的背面形成漏极金属层。

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