华为技术有限公司黄凯亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种垂直沟道晶体管结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116799057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210247054.2，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种垂直沟道晶体管结构及制造方法是由黄凯亮;景蔚亮;王昭桂;冯君校;王正波设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直沟道晶体管结构及制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种垂直沟道晶体管结构，在源极和介质层之间，以及在漏极和介质层之间均引入接触层，这两个接触层电阻低，掺杂浓度高，与金属接触良好，可以使得源极、漏极和半导体沟道层之间形成欧姆接触，这种结构的垂直沟道晶体管在工作时，电子可以利用波动性直接穿过势垒从源极进入半导体沟道层，以及从半导体沟道层进入漏极，也即实现了电流的遂穿注入，大大降低了垂直沟道晶体管的接触电阻，增大了垂直沟道晶体管的工作电流。
本发明授权一种垂直沟道晶体管结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直沟道晶体管结构，其特征在于，包括： 层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层、第一接触层、绝缘介质层、第二接触层和第二金属层；所述第一接触层位于所述第一金属层和所述绝缘介质层之间，所述第二接触层位于所述第二金属层和所述绝缘介质层之间； 所述层叠结构中设置有凹槽，所述凹槽贯穿所述第二金属层、所述第二接触层、所述绝缘介质层和所述第二接触层，且所述凹槽至少部分陷入所述第一金属层； 所述凹槽内设置有半导体沟道层、栅氧介质层和栅极； 其中，所述第一接触层和所述第二接触层的材料为导电率高于所述半导体沟道层的半导体材料；所述半导体沟道层在所述凹槽内分别与所述第一金属层和所述第二金属层接触，所述栅氧介质层设置在所述半导体沟道层和所述栅极之间； 第一界面层和第二界面层，其中，所述第一界面层位于所述第一接触层和所述绝缘介质层之间，所述第二界面层位于所述第二接触层和所述绝缘介质层之间；所述第一界面层和所述第二界面层的材料与所述第一接触层和所述第二接触层的材料相同，且所述第一界面层和所述第二界面层的材料的掺杂浓度低于所述第一接触层和所述第二接触层的材料的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励