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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116730281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310771825.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS器件及其制造方法是由张兆林设计研发完成，并于2023-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，MEMS器件的制造方法包括：提供形成有牺牲层的第一衬底；形成第一绝缘介质层于牺牲层中；形成半导体层覆盖于牺牲层上；在半导体层中形成释放孔和可动质量块；经释放孔释放牺牲层，以形成暴露出第一绝缘介质层的第一空腔，第一绝缘介质层位于可动质量块的靠近第一衬底的一面，第一绝缘介质层作为第一防粘连结构；形成第二绝缘介质层于第二衬底中；刻蚀第二绝缘介质层外围的第二衬底，以形成第二空腔，第二绝缘介质层下方保留的第二衬底作为限位结构，第二绝缘介质层作为第二防粘连结构；将半导体层与第二衬底键合，第二防粘连结构对准可动质量块。本发明的技术方案能够避免测试失效，且提高器件的可靠性。

本发明授权MEMS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底，所述第一衬底上形成有牺牲层； 形成第一凹槽于所述牺牲层中； 形成第一绝缘介质层填充于所述第一凹槽中； 形成半导体层覆盖于所述牺牲层上，且所述半导体层覆盖所述第一绝缘介质层； 刻蚀所述半导体层并停止于所述牺牲层，以在所述半导体层中形成释放孔和可动质量块； 经所述释放孔释放部分所述牺牲层，以形成第一空腔，所述第一空腔暴露出所述第一绝缘介质层和部分所述第一衬底，所述第一绝缘介质层位于所述可动质量块的靠近所述第一衬底的一面，以使得所述第一绝缘介质层作为所述可动质量块的第一防粘连结构； 提供第二衬底； 形成第二凹槽于所述第二衬底中； 形成第二绝缘介质层于所述第二凹槽中； 刻蚀所述第二绝缘介质层外围的第二衬底，以形成第二空腔，所述第二绝缘介质层下方保留的第二衬底作为限位结构，所述第二绝缘介质层作为所述限位结构的第二防粘连结构； 将所述半导体层远离所述第一衬底的一面与所述第二衬底形成有所述第二空腔的一面相键合，所述第二防粘连结构对准所述可动质量块。

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