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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种红外非线性频率变换用硒镓钡(BGSe)晶体元件的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116638381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310598230.1，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种红外非线性频率变换用硒镓钡(BGSe)晶体元件的抛光方法是由王振友;毛明生;吴海信设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红外非线性频率变换用硒镓钡(BGSe)晶体元件的抛光方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种红外非线性频率变换用硒镓钡BGSe晶体元件的抛光方法，包括将所述的硒镓钡BGSe晶体元件依次进行晶体定向；毛坯切割；镶嵌包裹；研磨；化学抛；物理粗抛；物理精抛：采用金刚石抛光液进行高精度物理抛，颗粒度由0.5μm、0.25μm逐级降低，抛光盘转速范围为1000～1500rmin，获得超光滑通光面晶体元件。本发明的方法有效降低抛光时晶体应力，避免晶体元件抛光开裂、表面划痕等问题，提高抛光质量，实现了BGSe晶体元件通光面的超光滑抛光。

本发明授权一种红外非线性频率变换用硒镓钡(BGSe)晶体元件的抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种红外非线性频率变换用硒镓钡BGSe晶体元件的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤： 1晶体定向：采用X射线单晶定向仪，定向、确定生长晶棒的晶面方向； 2毛坯切割：利用金刚石线切割机，切割出晶体元件毛坯； 3镶嵌包裹：采取K9玻璃对BGSe元件毛坯进行冷镶嵌包裹，防止抛光过程中晶体元件的应力开裂、变形； 4研磨：将镶嵌后BGSe晶体元件的端面在研磨盘上进行研磨，使其表面划痕均匀分布，研磨液中金刚石粉颗粒度10-14μm，研磨盘转速范围为2000～3000rmin； 5化学抛：配制腐蚀液；腐蚀温度25-30℃，腐蚀时长30-60分钟；腐蚀完成后采用氧化铈Ce2O3研磨液进行粗磨，氧化铈Ce2O3颗粒粒径为5-10μm，去除腐蚀表面残渣，抛光盘转速范围为2000～3000rmin； 6物理粗抛：采用氧化铈Ce2O3悬浊液进行物理粗抛，抛光盘转速范围为1500～2000rmin；氧化铈Ce2O3悬浊液中，氧化铈的颗粒度为1-5μm； 7物理精抛：采用金刚石抛光液进行高精度物理抛，颗粒度由0.5μm、0.25μm逐级降低，抛光盘转速范围为1000～1500rmin，获得超光滑通光面晶体元件。

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