西安电子科技大学李聪获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于倒T形负电容隧穿场效应晶体管的生物传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116593561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310296893.8，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权基于倒T形负电容隧穿场效应晶体管的生物传感器及制备方法是由李聪;罗迪;王云奇;李欧文;邝丰玉;游海龙设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于倒T形负电容隧穿场效应晶体管的生物传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于倒T形负电容隧穿场效应晶体管的生物传感器，主要解决现有技术灵敏度低，制造工艺复杂的问题。其自下而上依次为衬底1、沟道区4、栅极绝缘介质层5、栅极铁电层7、栅极氮化钛层8、栅极金属层9、源区3、导电层11，该沟道区的两侧为漏区6，漏区两侧设有隔离槽2，该栅极绝缘介质层的垂直部分两侧设有生物填充层10，其中，沟道区采用倒T形结构；栅绝缘介质层采用对称的L形结构；栅极金属层由下层金属铪和上层金属铝构成，本发明显著提高了生物传感器的灵敏度和开态电流，能有效抑制短沟道效应和双极效应，且制造工艺简单，制造成本低，可用于无标记检测生物分子。
本发明授权基于倒T形负电容隧穿场效应晶体管的生物传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于倒T形负电容隧穿场效应晶体管的生物传感器，包括：衬底1、隔离槽2、源区3、沟道区4、栅极绝缘介质层5、漏区6、栅极铁电层7、栅极氮化钛层8、栅极金属层9、生物填充层10、导电层11；该沟道区4和漏区6位于衬底1的上表面；该隔离槽2位于漏区6的两侧；该源区3位于沟道区4的上部；该栅极绝缘介质层5、栅极铁电层7、栅极氮化钛层8及栅极金属层9依次堆叠于沟道区4的上侧；该生物填充层10位于栅极绝缘介质层5垂直部分的左右两侧，其特征在于： 所述沟道区4，采用倒T形结构，以增加生物分子的填充面积，提高灵敏度； 所述栅极绝缘介质层5，采用对称的L形结构，且位于在沟道区4的两侧； 所述栅极铁电层7，堆叠于栅极绝缘介质层5的水平部分之上； 所述栅极金属层9，设为上下两层，且上层采用金属铝，下层采用金属铪。
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