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龙图腾网获悉天津大学申请的专利基于SISL结构的融合超材料天线架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116505236B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310494824.8，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权基于SISL结构的融合超材料天线架构是由闫宁宁;杨帆霏;王勇强;马凯学设计研发完成，并于2023-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SISL结构的融合超材料天线架构在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于SISL结构的融合超材料天线架构，包括SISL结构的天线，自上而下依次有至少五层介质基板，每层基板双面有金属层；第一介质基板用超材料构成超材料功能层，第二介质基板有上层空腔，第二介质基板为传输层，嵌入ENZ材料，第三介质基板为天线层，布置馈源天线，第四介质基板有下层空腔，第五介质基板为接地层。本发明使用SISL结构PEC加载，馈源辐射场集中于第二介质基板和四周金属通孔形成的空腔中，加强超表面与馈源相互作用，减少馈源侧向辐射泄漏；第二介质基板中嵌入ENZ材料，使在天线整体低剖面的条件下保证辐射性能不退化；天线整体除辐射口径外由SISL结构封装，提高天线集成度。

本发明授权基于SISL结构的融合超材料天线架构在权利要求书中公布了：1.基于SISL结构的融合超材料天线架构，其特征在于，包括SISL结构的天线，自上而下依次包括至少五层介质基板单元，每层介质基板单元的双面覆铜形成金属层；第一介质基板单元采用超材料构成超材料功能层，第二介质基板单元为传输层，具有上层的空腔，嵌入ENZ材料构成ENZ材料层，第三介质基板单元为天线层，布置馈源天线，第四介质基板单元具有下层的空腔，第五介质基板单元形成接地层；所述ENZ材料层通过对入射和出射电磁波的准直效应来改变馈源辐射场的幅度和相位，实现在剖面小于λ0的低剖面条件下超材料天线保持预定的辐射性能；位于第一介质基板单元的超材料功能层由一层控制相位的超材料和一层极化控制超材料共同组成，或是由一层控制相位的超材料构成；所述第二介质基板单元从上至下分别包括上传输层、ENZ材料层和下传输层，所述上传输层和下传输层各自由一层基板构成或是多层的介质基板堆叠而成；所述第五介质基板单元形成的金属层布置有人工磁导体AMC结构，与第四介质基板单元形成的空腔配合，用以减少馈电传输线的介质损耗和增强馈源天线的性能，或使用人工磁导体AMC结构实现滤波功能。

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