深圳瑞波光电子有限公司汪卫敏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳瑞波光电子有限公司申请的专利半导体激光芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116454732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310231317.5，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权半导体激光芯片及制备方法是由汪卫敏;何晋国;胡海设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体激光芯片及制备方法，属于半导体技术领域。半导体激光芯片包括N型衬底以及设置于N型衬底上的外延层；外延层包括依次层叠设置在N型衬底上的过渡层、N型下包层、下波导层、有源层、上波导层、P型上包层以及帽层，帽层以及N型衬底上分别设有P型欧姆接触电极以及N型欧姆接触电极；帽层为不掺杂或低掺杂的半导体材质，帽层以及P型上包层上设有图形化P型杂质扩散区。本申请所提供的半导体激光芯片，P型杂质扩散区外的掺杂浓度低，电流注入范围被限制在P型杂质扩散区内，不需要在帽层上沉积绝缘膜并蚀刻帽层就可实现对注入电流范围的限制，可简化流片制程，提高制程的稳定性。
本发明授权半导体激光芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光芯片，其特征在于，包括： N型衬底以及设置于所述N型衬底上的外延层； 所述外延层包括依次层叠设置在所述N型衬底上的过渡层、N型下包层、下波导层、有源层、上波导层、P型上包层以及帽层，所述帽层以及所述N型衬底上分别设有P型欧姆接触电极以及N型欧姆接触电极； 所述帽层为不掺杂或低掺杂的半导体材质，所述帽层以及所述P型上包层上设有图形化P型杂质扩散区，用于注入电流，所述P型杂质扩散区在所述P型上包层中的扩散深度小于所述P型上包层的厚度； 所述N型下包层以及所述P型上包层均为两种折射率不同的材料交替形成的多层周期结构，所述多层周期结构为多层周期性超晶格结构或布拉格反射器周期结构，所述N型下包层中至少一种材料的折射率大于所述下波导层的折射率，所述P型上包层中至少一种材料的折射率大于所述上波导层的折射率。
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