株式会社国际电气池田优真获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116426900B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211565850.7，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质是由池田优真;野野村一树;寿崎健一设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明能够在短时间内且抑制对处理室内的构件的损伤的情况下减少进行了清洁处理后的处理室内残留的卤元素的量。其具有：a对在被加热至第1温度的状态下被供给了包含卤元素的清洁气体后的处理室内一边进行真空排气，一边从第1温度降低至第2温度的工序，该第2温度是在处理室内进行衬底处理的温度以下的温度；和b在a之后，一边对处理室内进行真空排气，一边向处理室内供给含有水蒸气的气体，使处理室内残留的卤元素与水蒸气反应的工序。
本发明授权清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.清洁方法，其具有： a对在被加热至第1温度的状态下被供给了包含卤元素的清洁气体后的处理室内一边进行真空排气，一边在不实施含有水蒸气的气体向所述处理室内的供给的状态下从所述第1温度降低至第2温度的工序，其中，所述第2温度是在所述处理室内进行衬底处理的温度以下的温度；和 b在a之后，一边对所述处理室内进行真空排气，一边向所述处理室内供给所述含有水蒸气的气体，使所述处理室内残留的所述卤元素与水蒸气反应的工序。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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