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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211645331.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法是由唐恝;范凯平;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法，涉及湿法蚀刻技术领域，包括承载架、机械手、水浴加热模块、蚀刻槽和清洗槽，水浴加热模块包围蚀刻槽，蚀刻槽包围清洗槽；机械手用于控制承载架在蚀刻槽中运动；水浴加热模块用于控制蚀刻槽的温度；蚀刻槽为环形结构或回形结构，蚀刻槽的底部设置有若干进气孔；清洗槽用于清洗蚀刻后的晶圆片。本发明通过机械手控制承载架在蚀刻槽中运动、以及通过在刻蚀槽中设置进气孔通气，提高化学药液体系的温度均匀性、减小化学药液局部温度的波动，通过水浴加热模块对蚀刻槽进行温度控制，减少环境温度变化对化学药液温度的影响，最终保持蚀刻速率稳定，获得良好的蚀刻效果。

本发明授权一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种湿法蚀刻方法，其特征在于，基于湿法蚀刻装置实施所述湿法蚀刻方法； 所述湿法蚀刻装置包括承载架、机械手、水浴加热模块、蚀刻槽和清洗槽，所述水浴加热模块包围所述蚀刻槽，所述蚀刻槽包围所述清洗槽； 所述承载架用于装载待蚀刻的晶圆片，所述承载架为耐腐蚀的金属承载架； 所述机械手用于抓取移动所述承载架，并且所述机械手用于控制所述承载架在所述蚀刻槽中运动；所述机械手有两个； 所述水浴加热模块用于控制所述蚀刻槽的温度； 所述蚀刻槽为环形结构，所述蚀刻槽的底部设置有若干进气孔，所述蚀刻槽用于盛放化学药液，所述化学药液对晶圆片进行蚀刻；所述若干进气孔之间的间隔为1～5cm； 所述清洗槽用于清洗蚀刻后的晶圆片； 所述湿法蚀刻方法包括以下步骤： 在所述水浴加热模块中加入普通水，在所述蚀刻槽中加入相应的化学药液，在所述清洗槽中加入去离子水； 设定所述水浴加热模块的工作温度，并启动所述湿法蚀刻装置对所述普通水、所述化学药液和所述去离子水进行预热； 待所述普通水、所述化学药液和所述去离子水均到达设定温度后，往所述蚀刻槽中通入保护气体； 利用所述机械手将装有若干待蚀刻晶圆片的承载架浸没入达到设定温度的化学药液中进行蚀刻，并控制所述装有若干待蚀刻晶圆片的承载架在所述蚀刻槽中循环运动； 蚀刻至设定时间后，通过所述机械手将蚀刻完成的晶圆片连同承载架放入所述清洗槽中进行清洗； 其中，所述利用所述机械手将装有若干待蚀刻晶圆片的承载架浸没入达到设定温度的化学药液中进行蚀刻，并控制所述装有若干待蚀刻晶圆片的承载架在所述蚀刻槽中循环运动包括： 利用第一机械手将装有若干待蚀刻晶圆片的第一承载架浸没入达到设定温度的化学药液中进行蚀刻，所述第一承载架在所述蚀刻槽的一侧； 利用第二机械手将装有若干待蚀刻晶圆片的第二承载架浸没入达到设定温度的化学药液中进行蚀刻，所述第二承载架在所述蚀刻槽的另一侧； 所述第一承载架和所述第二承载架保持相对位置并同时朝一个方向循环运动。

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