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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种自动检测传输方向的双向电平转换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116366050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310122816.0，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种自动检测传输方向的双向电平转换装置是由管锐;鲍占营;靳瑞英;付美俊设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自动检测传输方向的双向电平转换装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自动检测传输方向的双向电平转换装置，涉及集成电路领域，包括：输入检测和输出控制电路、第一P‑typeMOSFET、第一N‑typeMOSFET、第一电阻、第二P‑typeMOSFET、第二N‑typeMOSFET、第二电阻，输入检测和输出控制电路的两个输入信号端口分别与第一输入输出端口P1、第二输入输出端口P2电连接。本发明同时检测两个输入输出端口的信号变化，产生所需的控制输入输出端口的信号，从而达到自动控制传输方向的功能；通过长导通的开关拉低输出、或短暂导通的开关拉高输出至对应的电源及并联的拉高电阻，实现电平转换功能，方便系统设计，提高系统的集成度，降低成本。

本发明授权一种自动检测传输方向的双向电平转换装置在权利要求书中公布了：1.一种自动检测传输方向的双向电平转换装置，其特征在于，包括：输入检测和输出控制电路101、第一P-typeMOSFET102、第一N-typeMOSFET103、第一电阻104、第二P-typeMOSFET105、第二N-typeMOSFET106、第二电阻107； 输入检测和输出控制电路101的两个输入信号端口分别与第一输入输出端口P1、第二输入输出端口P2电连接，第一输出信号A1、第二输出信号A2、第三输出信号B1、第四输出信号B2分别与第一P-typeMOSFET102的gate端、第一N-typeMOSFET103的gate端、第二P-typeMOSFET105的gate端、第二N-typeMOSFET106的gate端电连接； 第一P-typeMOSFET102的source端及第一电阻104的其中一端分别与VCC1相连，第一P-typeMOSFET102的drain端、第一电阻104的另一端以及第一N-typeMOSFET103的drain端分别与第一输入输出端口P1相连，第一N-typeMOSFET103的source端接地； 第二P-typeMOSFET105的source端及第二电阻107的其中一端分别与VCC2相连，第二P-typeMOSFET105的drain端、第二电阻107的另一端以及第二N-typeMOSFET106的drain端分别与第二输入输出端口P2相连，第二N-typeMOSFET106的source端接地；当第一输入输出端口P1、第二输入输出端口P2均没有驱动源上拉和下拉时，第一P-typeMOSFET102、第一N-typeMOSFET103、第二P-typeMOSFET105和第二N-typeMOSFET106均断开，此时，第一输入输出端口P1通过第一电阻104上拉到逻辑高电平VCC1，第二输入输出端口P2通过第二电阻107上拉到逻辑高电平VCC2； 输入检测和输出控制电路101包括：电平转换电路201、第一单次触发电路202、第二单次触发电路203、第一两输入或非门204、第二两输入或非门205、第一三输入与门206、第二三输入与门207； 第一输入输出端口P1与电平转换电路201的输入端相连，且电平转换电路201输出的信号B3分别接到第一单次触发电路202和第一两输入或非门204的一个输入端，第二输出信号A2接到第一两输入或非门204的另一输入端；第一单次触发电路202的输出为第三输出信号B1，通过第三输出信号B1控制第二P-typeMOSFET105；第三输出信号B1、第一两输入或非门204的输出信号B4、第一输出信号A1分别接到第一三输入与门206的输入端，第一三输入与门206的输出为第四输出信号B2，通过第四输出信号B2控制第二N-typeMOSFET106； 第二输入输出端口P2分别与第二单次触发电路203、第二两输入或非门205的一个输入端相连，且第四输出信号B2接到第二两输入或非门205的另一输入端；第二单次触发电路203的输出为第一输出信号A1，通过第一输出信号A1控制第一P-typeMOSFET102；第三输出信号B1、第一输出信号A1、第二两输入或非门205的输出信号A4分别接到第二三输入与门207的输入端，第二三输入与门207的输出为第二输出信号A2，通过第二输出信号A2控制第一N-typeMOSFET103。

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