中国科学技术大学周选择获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利氧化镓整流器和制作工艺、氧化镓整流器结构和制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310481142.3，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权氧化镓整流器和制作工艺、氧化镓整流器结构和制作工艺是由周选择;刘琦;徐光伟;龙世兵设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓整流器和制作工艺、氧化镓整流器结构和制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种氧化镓整流器和制作工艺、氧化镓整流器结构和制作工艺，涉及半导体技术领域，氧化镓整流器包括以下结构：氧化镓衬底层，氧化镓外延层，设于氧化镓衬底层上表面；阴极，设于氧化镓沟道层一侧的上表面；p型半导体层，设于与阴极相对的氧化镓沟道层另一侧的上表面；第一阳极层，设于与阴极相对的氧化镓沟道层另一侧的上表面，靠近p半导体层设置，且与p型半导体层之间有间隙；第二阳极层，设于p型半导体层上表面；第三阳极层，电连接第一阳极层和第二阳极层。本发明利用沟道载流子的积累与耗尽来实现整流特性，因此不依赖于势垒高度，能够打破开启电压与关态漏电之间的权衡。
本发明授权氧化镓整流器和制作工艺、氧化镓整流器结构和制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓整流器，其特征在于，包括以下结构： 氧化镓衬底层， 氧化镓外延层，设于氧化镓衬底层上表面； 阴极，设于氧化镓沟道层一侧的上表面； p型半导体层，设于与阴极相对的氧化镓沟道层另一侧的上表面； 第一阳极层，设于与阴极相对的氧化镓沟道层另一侧的上表面，靠近p半导体层设置，且与p型半导体层之间有间隙； 第二阳极层，设于p型半导体层上表面； 第三阳极层，电连接第一阳极层和第二阳极层； 所述p型半导体层采用Si、NiO、GaN、MgO、Cu2O中的任意一种材质。
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