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龙图腾网获悉北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院申请的专利电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116320960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310354785.1，技术领域涉及：H04R31/00；该发明授权电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法是由谢会开;郑钦丞;曹可;逯遥;汤跃设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法。所述电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器，包括基底、腔体、电磁式驱动组件、连接组件、振膜；所述基底包括基座和沿所述基座厚度方向延伸的支撑结构，所述支撑结构的四周围合从而形成所述腔体；所述连接组件用于连接所述振膜和所述支撑结构；所述振膜为悬空结构且悬设于所述腔体中；所述振膜与所述连接组件不共面；所述振膜的垂直方向的位移范围一般不超过所述空腔高度范围；所述电磁式驱动组件包括可动部件和固定部件；所述可动部件构成所述振膜的一部分，包含线圈和磁性材料中的一种；所述固定部件位于所述基底中；所述电磁式驱动组件通过电磁力带动所述振膜沿垂直方向做活塞式运动。

本发明授权电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器制造方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤一：提供SOI晶片，所述SOI晶片包括第一硅层、第二硅层以及夹设于所述第一硅层以及所述第二硅层之间的氧化硅层； 步骤二：在所述SOI晶片的第一硅层表面沉积并图形化连接组件的弹性层材料，在第一硅层表面形成具有特定形状的连接组件以及振膜组件；连接组件包括一组、两组或多组连接单元，其中一组连接单元由弹性层以及导电金属层构成，导电金属层用于给振膜中的线圈结构通电；其余连接单元由弹性层构成，保证振膜做垂直于振膜方向的运动；振膜组件由预定厚度的第一硅层或预定厚度的第一硅层、弹性层、导电金属层构成；在水平方向上，振膜组件位于第一硅层的中心位置，连接组件覆盖于第一硅层，并围绕振膜组件均匀分布于振膜外侧；此时连接组件覆盖在第一层硅表面，振膜不能自由运动； 步骤三：对所述SOI晶片中的所述第一硅层从接近第一硅层的方向，对所述振膜位置的第一硅层进行刻蚀，刻蚀形成凹槽结构； 步骤四：对所述第一硅层刻蚀形成的凹槽结构进行电镀，形成金属线圈结构； 步骤五：从第一硅层方向沉积并图形化形成连接组件的导电金属层，连接组件的导电金属层覆盖金属线圈结构的外围起始位置，从而通过连接组件的导电金属层为振膜组件中的金属线圈供电； 步骤六：对所述SOI晶片中的所述第一硅层从接近第一硅层的方向，在连接组件的外侧进行刻蚀，刻蚀至所述氧化硅层，确定所述振膜的尺寸； 步骤七：对所述SOI晶片从第二硅层的方向进行深反应离子背腔刻蚀，刻蚀至氧化硅层停止，形成振动空腔，即所述振膜做活塞运动的区域；通过调节深反应离子刻蚀的速率，形成预定形状类别的所述振动空腔；通过设定背腔刻蚀过程中在第二硅层表面沉积的掩模层的尺寸，确定基底的尺寸，形成所述基底； 步骤八：对所述SOI晶片从第二硅层的方向进行深反应离子背腔刻蚀，对空腔外围的支撑结构进行刻蚀，形成空腔； 步骤九：对所述支撑结构刻蚀形成的空腔进行磁性材料的填充，提供磁场环境，填充的磁性材料与电镀形成的线圈共同构成电磁式活塞运动式扬声器的驱动组件； 步骤十：对所述SOI晶片从靠近第二硅层的方向刻蚀氧化硅层； 步骤十一：对所述第一硅层从所述SOI晶片接近第一硅层的方向，在第一硅层表面所述连接组件位置与所述振膜位置之间的缝隙之间进行刻蚀，将连接组件下方的第一硅层中部分厚度的硅刻蚀，从而分离连接组件与所述第一硅层；围绕振膜组件均匀分布于振膜组件外侧的连接组件下方的第一硅层未被完全刻蚀，在被部分被刻蚀的第一硅层下方仍有预定厚度的第一硅层保留，靠近外侧保留的较薄的第一硅层与中心位置处未被刻蚀的较厚的第一硅层形成振膜组件；从第二硅层的方向看，振膜组件部分遮挡连接组件，即隐藏式连接结构；制备完成电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器。

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