买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种高亮度反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310306940.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种高亮度反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法是由吴向龙设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高亮度反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高亮度反极性AlGaInP发光二极管的制备方法。通过晶圆表面蒸镀纳米掩膜，光刻切割道图形，然后使用ICP刻蚀形成切割道并粗化发光区，再去除掉纳米掩膜。利用ICP刻蚀形成切割道的过程中同时完成了粗化发光区，只需要进行一次刻蚀同时完成两步工艺，不需要光刻工艺进行粗化掩膜制作，简化了制备工艺，大幅减少工艺流程，相较于现有制备方法的生产周期，本发明的生产周期减少了10～12％，极大地提高了生产效率，同时由于不需要多次光刻和腐蚀，降低了生产成本。

本发明授权一种高亮度反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高亮度反极性AlGaInP发光二极管的制备方法，其特征在于，所述高亮度反极性AlGaInP发光二极管由下自上依次包括永久衬底欧姆接触电极、永久衬底、反射镜、介质膜、P型欧姆接触层、P-GaP欧姆接触层、P-AlGaInP电流扩展层、P-AlInP限制层、MQW多量子阱层、N-AIInP限制层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlGaInP粗化层、N-GaAs欧姆接触层和N面电极，包括步骤如下： 1采用MOCVD方法，在n-GaAs临时衬底上依次生长N-GaAs缓冲层、N-GalnP阻挡层、N-GaAs欧姆接触层、N-AlGaInP粗化层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlInP限制层、MQW多量子阱层、P-AlInP限制层、P-AlGaInP电流扩展层和P-GaP欧姆接触层； 2在步骤1的外延片上沉积介质层，然后经过光刻、蒸镀、腐蚀、剥离处理后，形成P型欧姆接触层； 3在步骤2所得晶圆的表面蒸镀反射镜； 4将步骤3所得晶圆与永久衬底进行键合； 5去除键合后晶圆的n-GaAs临时衬底和N-GaInP阻挡层； 6腐蚀掉电极以外区域的N-GaAs欧姆接触层； 7在步骤6保留的N-GaAs欧姆接触层上蒸镀N面电极，并通过合金工艺形成欧姆接触； 8在步骤7所得晶圆表面蒸镀纳米掩膜，光刻切割道图形，然后使用ICP刻蚀形成切割道并粗化发光区，再去除掉纳米掩膜； 其中，所述形成切割道并粗化发光区的具体方法如下：调节ICP刻蚀参数为RF功率350~450W、ICP功率650~750W、压力5.5~6.5mT、温度18~22℃、氯气55~65sccm、三氯化硼18~22sccm，调节光刻胶厚度为2.6~3.2μm，刻蚀6~9min，在光刻胶被完全刻蚀掉后继续刻蚀2~5min，完成粗化发光区；所述去除掉纳米掩膜具体为：刻蚀结束后通过盐酸腐蚀掉纳米掩膜或粗化发光区后继续刻蚀1~3min； 9将永久衬底减薄，然后蒸镀欧姆接触金属并合金，形成永久衬底欧姆接触电极； 10采用激光划片或金刚刀切割方式得到发光二极管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东浪潮华光光电子股份有限公司，其通讯地址为：261061 山东省潍坊市高新区金马路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。